[发明专利]电子器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010330396.1 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111524818A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张红梅;刘梦雪 | 申请（专利权）人： | 淄博职业学院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 叶宇 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子器件的制造方法，其包括以下：
(1)提供衬底，所述衬底包括至少一个电极；
(2)在所述衬底上形成绝缘层并进行图案化，以形成露出所述电极的第一开口；
(3)在所述绝缘层上形成牺牲阳极层和布线层，所述布线层的一端电连接所述电极，另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘；
(4)形成覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层的钝化层并进行图案化，以形成露出所述焊盘的第二开口；
(5)在所述第二开口中的所述焊盘上形成AlSi层；
(6)在所述AlSi层上形成线接合球。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于：所述AlSi层采用铝钯和硅靶的共溅射方法形成，其溅射的氛围至少包含氮气。
3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于：在步骤(6)中形成线接合球还包括加热熔融所述线接合球，并使得所述线接合球与所述AlSi层形成金属间化合物层。
4.一种电子器件，其通过权利要求1-3中任一项所述电子器件的制造方法得到，具体包括：
衬底，所述衬底包括至少一个电极；
绝缘层，设置在所述衬底上且具有露出所述电极的第一开口；
牺牲阳极和布线层，设置于所述绝缘层上，其中，所述布线层的一端电连接所述电极，另一端设置于所述牺牲阳极层上形成为焊盘；
钝化层，覆盖所述绝缘层、所述布线层和所述牺牲阳极层且具有露出所述焊盘的第二开口；
AlSi层，设置在所述第二开口中的所述焊盘上；
线接合球，设置在所述AlSi层上。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于：所述线接合球与所述AlSi层之间形成有金属间化合物层。
6.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于：所述牺牲阳极层包括与所述焊盘上下不对应的第一部分以及与所述焊盘上下相对应的第二部分，所述第一部分和第二部分一体成型，且所述第一部分由所述焊盘位置延伸至所述电子器件的边缘。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于：所述第二部分具有一凹陷，所述焊盘的一部分位于所述凹陷中。
8.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于：所述第二部分为一环形，所述环形中具有第三开口。
9.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于：所述第三开口中填充有绝缘材料。
10.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于：所述焊盘具有与所述第三开口共形的凹口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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