[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 202010329115.0 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111834227A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 蔡俊雄;林以唐;游国丰;林佑明;万幸仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括场效应晶体管(FET),所述方法包括:
在衬底中形成牺牲区域;
通过图案化所述衬底和所述牺牲区域形成鳍结构;
通过至少部分地蚀刻所述牺牲区域形成空间;
在所述衬底上方形成隔离绝缘层并且通过填充所述空间形成嵌入式绝缘层;以及
形成栅极结构和源极/漏极区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,通过离子注入操作形成所述牺牲区域。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,通过所述离子注入操作注入砷离子。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述离子注入操作中的剂量在5×1013离子/cm2至5×1015离子/cm2的范围内。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述离子注入操作中的加速电压在0.5keV至10keV的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述至少部分地蚀刻所述牺牲区域包括使用含氯气体的干蚀刻操作。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述嵌入式绝缘层位于所述隔离绝缘层的上表面下方。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,至少部分地蚀刻所述牺牲区域包括使用四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液的湿蚀刻操作。
9.一种包括鳍式场效应晶体管的半导体器件,包括:
半导体鳍结构,设置在提供在衬底上方的底部鳍结构上方;
隔离绝缘层,设置在所述衬底上方;
栅极介电层,设置在所述半导体鳍结构的沟道区域上方;
栅电极,设置在所述栅极介电层上方;
源极和漏极,邻近所述沟道区域设置;以及
嵌入式绝缘层,设置在所述鳍结构的底部和所述底部鳍结构的顶部之间,并且由与所述隔离绝缘层相同的材料连续地制成。
10.一种包括鳍式场效应晶体管的半导体器件,包括:
半导体线,设置在提供在衬底上方的底部鳍结构上方;
隔离绝缘层,设置在所述衬底上方;
栅极介电层,包裹每个所述半导体线的沟道区域;
栅电极,设置在所述栅极介电层上方;
源极和漏极,设置为邻近所述沟道区域;以及
嵌入式绝缘层,设置在所述半导体线下方,并且由与所述隔离绝缘层相同的材料连续地制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造