[发明专利]GOA阵列基板及制备方法

说明书

本申请公开了一种GOA阵列基板及制备方法，所述GOA阵列基板包括衬底基板以及设于所述衬底基板上的GOA驱动电路，所述GOA驱动电路包括多个相连接的GOA单元，每一所述GOA单元包括薄膜晶体管阵列层、形成于所述薄膜晶体管阵列层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的第二金属层；其中，所述第一金属层在与所述第二金属层跨线的位置具有图案化的信号线，所述信号线包括主干部及由所述主干部相对两侧形成的侧壁，所述侧壁设置为一弧状凹槽。本申请实施例能够防止第一金属层形成的信号线与第二金属层形成的信号线在跨线位置处短路，进一步提升了GOA阵列基板中GOA驱动电路的稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种GOA阵列基板及制备方法。

背景技术

随着液晶面板技术的不断发展，阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)技术被广泛应用到液晶面板的电路设计中，为此，越来越多的相关电路走线也同样被集成到面板上。GOA技术是利用现有薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的阵列制程将栅极行驱动电路制作在阵列(Array)基板上，实现对栅极逐行扫描的驱动方式的一项技术。GOA技术可以节省栅极芯片(Gate IC)，有利于显示屏栅极行驱动(Gate Driver)侧窄边框(narrow border)的设计和成本的降低，得到广泛地应用和研究。

在现有的GOA阵列基板的总线(Busline)设计中，会用跨线的方式把GOA驱动的时钟信号从总线上引入到GOA单元，GOA单元在跨线结束的位置容易由于此处第一金属层(M1)沉积的时候容易产生taper角(锥角)，使得此处的绝缘层沉积厚度不均一，比水平位置偏薄。当时钟信号(CK)处有高频信号时，在第一金属层(M1)和第二金属层(M2)间容易产生发热以及两者的电容效应容易击穿绝缘层，造成信号间的短路，触发显示面板设置的过电流保护，进而导致显示面板黑屏。有鉴于此，如何改善GOA阵列基板在GOA总线区的信号线经过跨线位置时第一金属层(M1)和第二金属层(M2)短路的几率，实为亟需解决的课题。

发明内容

本申请实施例提供一种GOA阵列基板及制备方法，能够有效降低GOA总线区的信号线经过跨线位置时第一金属层(M1)和第二金属层(M2)短路的风险，增加GOA驱动线路的稳定性，以解决现有技术的GOA阵列基板及制备方法，由于GOA单元中的第一金属层(M1)与第二金属层(M2)在跨线结束的位置时容易短路，触发过电流保护，进而导致显示器件黑屏的技术问题。

本申请实施例提供了一种GOA阵列基板，所述GOA阵列基板包括衬底基板以及设于所述衬底基板上的GOA驱动电路，所述GOA驱动电路包括多个相连接的GOA单元，每一所述GOA单元包括薄膜晶体管阵列层、形成于所述薄膜晶体管阵列层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的第二金属层；

其中，所述第一金属层在与所述第二金属层跨线的位置具有图案化的信号线，所述信号线包括主干部及由所述主干部相对两侧形成的侧壁，所述侧壁设置为一弧状凹槽。

在一些实施例中，所述弧状凹槽由所述信号线采用半色调光罩并通过光刻图案工艺形成。

在一些实施例中，所述半色调光罩包括非全透光区，所述非全透光区具有多种光罩穿透率。

在一些实施例中，位于所述弧状凹槽上的部分所述绝缘层的厚度与位于所述主干部上的部分所述绝缘层的厚度相同。

在一些实施例中，所述绝缘层的材料为氮硅氮化物或者硅氧化物。

在一些实施例中，所述第一金属层的材料与所述薄膜晶体管阵列层的栅极金属层的材料相同；所述第二金属层的材料与所述薄膜晶体管阵列层的源漏极金属层的材料相同。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层包括多条相互平行的扫描线，所述G0A驱动电路用于对多条所述扫描线进行驱动。