[发明专利]GOA阵列基板及制备方法

权利要求书

1.一种GOA阵列基板，其特征在于，所述GOA阵列基板包括：

衬底基板；

GOA驱动电路，设于所述衬底基板上，所述GOA驱动电路包括多个相连接的GOA单元，每一所述GOA单元包括薄膜晶体管阵列层、形成于所述薄膜晶体管阵列层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的第二金属层；

其中，所述第一金属层在与所述第二金属层跨线的位置具有图案化的信号线，所述信号线包括主干部及由所述主干部相对两侧形成的侧壁，所述侧壁设置为一弧状凹槽，位于所述弧状凹槽上的所述绝缘层的厚度与位于所述主干部上的所述绝缘层的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述弧状凹槽由所述信号线采用半色调光罩并通过光刻图案工艺形成。

3.根据权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述半色调光罩包括非全透光区，所述非全透光区具有多种光罩穿透率。

4.根据权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的材料为硅氧化物、硅氮化物或者硅氮氧化合物。

5.根据权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的材料与所述薄膜晶体管阵列层的栅极金属层的材料相同；所述第二金属层的材料与所述薄膜晶体管阵列层的源漏极金属层的材料相同。

6.根据权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括多条相互平行的扫描线，所述G0A驱动电路用于对多条所述扫描线进行驱动。

7.一种如权利要求1-6所述的GOA阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，在一衬底基板的GOA驱动电路区域上形成第一金属层，所述第一金属层位于所述GOA驱动电路区域的跨线位置具有图案化的信号线，所述信号线包括主干部及由所述主干部相对两侧形成的侧壁；

S20，使用半色调光罩并通过光刻图案工艺对所述侧壁进行蚀刻，形成弧状凹槽；

S30，在所述第一金属层上形成绝缘层，所述绝缘层填充所述弧状凹槽，位于所述弧状凹槽上的所述绝缘层的厚度与位于所述主干部上的所述绝缘层的厚度相同；

S40，在所述绝缘层上形成第二金属层。

8.根据权利要求7所述的GOA阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述半色调光罩包括非全透光区，所述非全透光区具有多种光罩穿透率。