[发明专利]LED芯片转移系统及其转移方法在审
申请号: | 202010328074.3 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN113555303A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 牛红林;何大鹏 | 申请(专利权)人: | 华为机器有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 车晓军;臧建明 |
地址: | 523808 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 芯片 转移 系统 及其 方法 | ||
本申请实施例提供一种LED芯片转移系统及其转移方法,通过供料模块将晶片和基板均提供至运动模块上,继而该运动模块带动晶片和基板中的至少一个往靠近彼此的方向运动,以将芯片移动至基板上对应的连接位上,接着采用激光模块对待转移芯片与晶片的衬底之间的牺牲层进行烧蚀,以将待转移芯片从晶片的衬底上剥离下来,并转移至基板上,最后采用运动模块将晶片与基板分开,完成晶片的LED芯片的批量转移,实现了对晶片上芯片的选择性转移,即在将所有芯片移动至基板对应的连接位上后,采用激光模块剥离特定的芯片,便可将所需的芯片例如完好无损的芯片选择性地转移至基板上,从而避免了将已损坏的芯片转移至基板上,提高了芯片的转移良率。
技术领域
本申请实施例涉及芯片制作技术领域,特别涉及一种LED芯片转移系统及其转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode;简称:Micro LED)可视为微小化的LED,具有高亮度、低功耗、超高解析度与色彩饱和度,同时可单独点亮每个像素(pixel),发光效率高等优势,目前被应用在手机、电视等显示设备上,以作为显示设备的显示模组。Micro LED显示模组在具体制作时,是将形成在晶片(wafer)的衬底上的多个阵列排布的LED芯片批量式转移至基板上,继而利用物理沉积制程形成保护层与电极,得到像素阵列,最后进行封装即可形成Micro LED显示模组。
相关技术中,LED芯片的批量转移的具体过程是:首先,将具有一定黏度的吸附盖板(stamp)贴合在晶片上的多个芯片上,利用范德华力将吸附盖板所覆盖的区域内的芯片粘附在吸附盖板上,继而将该吸附盖板与晶片的衬底进行分离,此时芯片从衬底上剥离下来并附着在吸附盖板上,接着该吸附盖板贴合在基板上,并将每个芯片与基板的连接位一一对应,然后通过外力对吸附盖板背离芯片的一侧进行挤压,以使芯片附着在基板对应的连接位上,最后将吸附盖板从基板上撤离,完成芯片的批量转移。
然而,上述对芯片的批量转移过程中,吸附盖板是对晶片上对应吸附盖板所能够覆盖的整面区域内的所有芯片进行同时转移,这就使得当该吸附盖板所能够覆盖的区域内具有已经损坏的芯片时,便会将损坏的芯片同时转移至基板上,从而降低了转移良率。
发明内容
本申请实施例提供了一种LED芯片转移系统及其转移方法,能够解决传统技术中对晶片上的芯片进行批量转移时无法实现选择性的转移而会将损坏的芯片转移至基板上,从而降低转移良率以及其它潜在的问题。
本申请实施例提供一种LED芯片转移系统,包括:
供料模块,用于提供至少一个晶片和至少一个基板;其中,所述晶片包括设置在衬底上的牺牲层以及间隔形成在所述牺牲层背离所述衬底的一侧的多个芯片;
运动模块,用于接收晶片和基板,并带动晶片与基板中的至少一个运动,以将晶片上的芯片移动至基板上对应的连接位上,以及在晶片上的待转移芯片转移至基板上后,将晶片与基板分离;
激光模块,用于在晶片上的芯片移动至基板上的连接位后,烧蚀待转移芯片与晶片的衬底之间的牺牲层,以将待转移芯片从衬底上剥离下来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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