[发明专利]一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202010326667.6 | 申请日: | 2020-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN111524811B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 吴国防;许三龙 | 申请(专利权)人: | 江西森通新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;H01L23/482 |
| 代理公司: | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人: | 黄亮亮 |
| 地址: | 344100 江西省抚州市临川区科*** | 国省代码: | 江西;36 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石墨 金键合丝 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明提供一种石墨烯‑金键合丝及其制备方法和应用,石墨烯‑金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%~1.0%,镧0.0005%~0.001%,铈0.0005%~0.010%,金60%~80%,银19%~39.94%,余量为不可避免的杂质。本发明的石墨烯‑金键合丝用于集成电路封装中,可作为键合金丝的替代品,成本低,焊线效果好。
技术领域
本发明涉及封装用键合丝技术领域,具体是涉及一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用。
背景技术
微电子引线键合,是一种使用微细金属线,利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合,实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下,引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散,从而使两种金属间实现原子量级上的键合。
目前在中高端LED、COB及多引脚IC集成电路封装中,键合线多用键合金丝及金合金丝。其中,键合金丝中金的含量达到99.99%以上,是所有键合线中最顶端的产品,但是键合金丝价格偏高,导致封装成本增加。金合金丝价格相对较低,但在高端LED、COB及多引脚IC集成电路封装技术中,会出现键合氧化、推拉力不足、焊点共晶不好等缺陷。
为了解决上述技术问题,公开号为CN107768338A的中国发明专利申请文件公开了一种银-锡-石墨烯复合键合丝及其制备方法,其中,银-锡-石墨烯复合键合丝,以重量百分比计,包括:石墨烯0.05%~1.5%、锡5%~10%、银88.5~94.95%及不可避免的杂质。
然而,上述银-锡-石墨烯复合键合丝中银的含量高达88.5~94.95%,由于银容易被氧化,该银-锡-石墨烯复合键合丝在焊线过程中很容易产烧小球、滑球现象,严重影响了其键合性能。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种键合性能优良,在焊线过程中不会产烧小球、滑球现象的石墨烯-金键合丝。
本发明的第二目的是提供一种上述石墨烯-金键合丝的制备方法。
本发明的第三目的是提供一种上述石墨烯-金键合丝的应用。
为了实现上述的第一目的,本发明提供石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%~1.0%,镧0.0005%~0.001%,铈0.0005%~0.010%,金60%~80%,银19%~39.94%,余量为不可避免的杂质。
优选地,石墨烯0.05%,镧0.0005%,铈0.0005%,金60%,银39.947%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.1%,镧0.0008%,铈0.0010%,金70%,银29.898%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.90%,镧0.0010%,铈0.0100%,金80%,银19.086%,余量为不可避免的杂质;
优选地,将石墨烯-金键合丝进行复绕分装。
为了实现上述的第二目的,本发明提供石墨烯-金键合丝的制备方法:采用化学沉积方法获得石墨烯-金复合粉末材料,通过金属熔铸的方法获得金-镧、金-铈的合金材料,将金、石墨烯-金复合粉末材料、合金材料、银通过金属熔铸和定向凝固法获得复合材料棒材,最后通过对复合材料棒材拉伸获得石墨烯-金键合丝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西森通新材料科技有限公司,未经江西森通新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010326667.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种主键分配方法、装置、服务器及存储介质
- 下一篇:一种灵芝啤酒的发酵方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





