[发明专利]一种太阳能电池正面电极对位印刷方法及制备方法在审
| 申请号: | 202010326126.3 | 申请日: | 2020-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN111668339A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
| 地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正面 电极 对位 印刷 方法 制备 | ||
本发明公开了一种太阳能电池正面电极对位印刷方法及制备方法,在电池正面激光开槽工艺中,将电池正面激光开槽图案的栅线外框以及两侧自外向内排列的2~10根栅线雕刻成双线开槽,该双线开槽由平行的两道开槽组成。本发明可使正面电极副栅的金属浆料可以精确覆盖在相对应的开槽上,减小偏差,提高太阳能电池正面电极印刷精准度,进而提高太阳能电池的印刷质量及电性能;而且,当网版使用一段时间后会变形,由于本发明正面电极副栅的可印刷区域变宽,即使网版变形也可使金属浆料能够精确覆盖在相对应的开槽上,从而使得变形后的网版还可继续使用,延长了网版的使用寿命。本发明工艺步骤简单,生产成本低、易于实现,适合于大规模量产。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制备技术,尤其涉及一种太阳能电池正面电极对位印刷方法,还涉及使用该对位印刷方法的太阳能电池的制备方法。
背景技术
太阳能电池是一种直接利用太阳光发电的半导体装置,其主要原理是利用光生伏打效应将光能转化为电能。金属化丝网印刷是制造太阳能电池的关键步骤,金属化丝网印刷即是制作太阳能电池电极。具体来说,是将希望的电极图形转印到丝网网版或漏孔网版上,网版上开孔的区域对应希望得到的太阳电池的电极图形,再将具有一定流动性的金属浆料涂覆到网版上,然后利用刮刀对网版和金属浆料施加一定的压力,并贴合着网版表面从网版的一段移动到另一端,在刮刀的挤压下,金属浆料透过网版的开孔区域,转印到正面激光开槽的太阳能电池上,即金属浆料覆盖在对应的开槽上,最后,将印刷好金属浆料的太阳能电池置于高温中进行烧结,使金属浆料中的金属成分与太阳电池有效接触,从而完成整个金属化过程。
金属化丝网印刷质量的好坏,取决于印刷图形的线宽及其均匀性,对太阳电池的外观及性能的影响极大。一般来说,印刷图形线宽越小,太阳电池效率越高;印刷图形线宽越均匀,太阳电池的外观越好。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种工艺简单、生产成本低、提高印刷质量及电性能的太阳能电池正面电极对位印刷方法。
本发明的第一个目的通过以下的技术措施来实现:一种太阳能电池正面电极对位印刷方法,其特征在于,在电池正面激光开槽工艺中,将电池正面激光开槽图案的栅线外框以及两侧自外向内排列的2~10根栅线雕刻成双线开槽,该双线开槽由平行的两道开槽组成。
本发明将电池正面激光开槽外框及两侧若干根栅线设置成双线开槽,在丝网印刷正面电极副栅时,由于激光开槽外框和两侧栅线的印刷区域变宽,使得正面电极副栅的金属浆料可以精确覆盖在相对应的开槽上,减小偏差,提高太阳能电池正面电极印刷精准度,进而提高太阳能电池的印刷质量及电性能;而且,当网版使用一段时间后会变形,由于本发明正面电极副栅的可印刷区域变宽,即使网版变形也可使金属浆料能够精确覆盖在相对应的开槽上,从而使得变形后的网版还可继续使用,延长了网版的使用寿命。本发明工艺步骤简单,生产成本低、易于实现,适合于大规模量产。
作为本发明的一种改进,正面激光开槽图案上的Mark点位于网版浆料设置点的外侧而不与其重合。目前电池正面电极的主栅和副栅分开先后印刷,当印刷副栅时,激光会再次抓取电池片上的Mark点,由于现有的激光Mark点与网版浆料设置点重合,使得印刷主栅浆料会遮挡住Mark点而导致激光抓取时产生误差,致使副栅印刷不良。因此,本发明将激光Mark点外移,不与网版浆料设置点重合,可使主副栅对位连接更加精确。
本发明所述双线开槽的两道开槽在二者长度上最多重合一半。
本发明激光光斑直径为20~225微米。
本发明的第二个目的在于提供一种使用上述太阳能电池正面电极对位印刷方法的太阳能电池制备方法。
本发明的第二个目的通过如下的技术方案来实现:一种太阳能电池制备方法,使用上述的太阳能电池正面电极对位印刷方法。
具体而言,一种使用上述太阳能电池正面电极对位印刷方法的太阳能电池制备方法,其特征在于包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





