[发明专利]一种太阳能电池正面电极对位印刷方法及制备方法在审
| 申请号: | 202010326126.3 | 申请日: | 2020-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN111668339A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
| 地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正面 电极 对位 印刷 方法 制备 | ||
1.一种太阳能电池正面电极对位印刷方法,其特征在于:在电池正面激光开槽工艺中,将电池正面激光开槽图案的栅线外框以及两侧自外向内排列的2~10根栅线雕刻成双线开槽,所述双线开槽由平行的两道开槽组成。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池正面电极对位印刷方法,其特征在于:正面激光开槽图案上的Mark点位于网版浆料设置点的外侧而不与之重合。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池正面电极对位印刷方法,其特征在于:所述双线开槽的两道开槽在二者长度上最多重合一半。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池正面电极对位印刷方法,其特征在于:激光光斑直径为20~225微米。
5.一种太阳能电池制备方法,使用权利要求1所述的太阳能电池正面电极对位印刷方法。
6.一种使用权利要求1所述的太阳能电池正面电极对位印刷方法的太阳能电池制备方法,其特征在于包括以下步骤:
⑴在硅片正面形成绒面;
⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散,在硅片表面形成n型层,形成轻掺杂区;
⑶在由步骤⑵所得产品的正面进行激光开槽,正面激光开槽图案的栅线外框和两侧自外向内排列的2~10根栅线设置成双线开槽,该双线开槽由平行的两道开槽组成,形成正面激光开槽区;
⑷去除由步骤⑶所得产品在扩散过程形成的磷硅玻璃和周边PN结;
⑸在由步骤⑷所得产品的背面镀氧化铝膜,再在正、背面镀氮化硅减反射膜;
⑹在由步骤⑸所得产品的背面激光开槽;
⑺在由步骤⑹所得产品的背面印刷背电极;
⑻在由步骤⑺所得产品的背面印刷Al背场;
⑼在由步骤⑻所得产品的正面先印刷正面电极主栅,再印刷正面电极副栅;
⑽将由步骤⑼所得产品进行高温烧结;
⑾对由步骤⑽所得产品抗LID退火即得。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池制备方法,其特征在于:在所述步骤⑶中,在正面激光开槽图案上设置Mark点,Mark点位于网版浆料设置点的外侧而不与其重合,在步骤⑼中,通过抓取正面激光开槽图案上的Mark点印刷正面电极。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池制备方法,其特征在于:在所述步骤⑶中,激光光斑直径为20~225微米。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池制备方法,其特征在于:所述硅片是电阻率为0.1~6Ω·cm的轻掺杂的P型单晶硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





