[发明专利]QLED发光器件

说明书

本发明实施例提供的QLED发光器件包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层；通过在靠近电子注入层一侧的量子点层间设置绝缘层，降低了电子的传输速率,从而平衡电子和空穴传输速率，提高QLED发光效率。

技术领域

本发明涉及QLED显示技术领域，尤其涉及一种QLED发光器件。

背景技术

现有QLED发光器件中，发光层由多层量子点层组成，空穴的传输速率小于电子的传输速率，因此在量子点层中会有电子积聚，发射激子猝灭，需要解决现有QLED发光器件的发光功能层中的电子积聚的问题，因此现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种QLED发光器件，可缓解现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。

本发明实施例提供一种QLED发光器件，包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，在所述发光层内，相邻两所述量子点间均设置有所述绝缘层。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度大于靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，从靠近所述电子注入层的一侧到靠近所述空穴注入层的一侧，所述绝缘层的厚度依次递减。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，所述绝缘层的制备材料为聚甲基丙烯酸甲酯材料。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，所述绝缘层的厚度范围为3纳米至8纳米。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为6纳米至8纳米。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为3纳米至5纳米。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，在靠近所述电子注入层一侧，所述绝缘层的厚度相等，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间未设置所述绝缘层。

在本发明实施例提供的QLED发光器件中，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间设置有至少两层所述绝缘层。

有益效果：本发明实施例提供的QLED发光器件包括衬底、阵列层、像素定义层、发光功能层、以及封装层，所述发光功能层包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层；其中，通过在量子点层靠近电子注入层一侧设置绝缘层，阻挡电子传输，降低了电子传输速率，同时量子点层的膜质可以得到改善，,从而平衡电子和空穴传输速率，提高QLED发光效率，缓解了现有QLED发光器件存在电子和空穴传输不平衡的技术问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明实施例提供的QLED发光器件的截面示意图；

图2为本发明实施例提供的QLED发光器件的发光功能层的第一种截面示意图；

图3为本发明实施例提供的QLED发光器件的发光功能层的第二种截面示意图；