[发明专利]QLED发光器件在审
| 申请号： | 202010323410.5 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111509134A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 赵金阳 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qled 发光 器件 | ||
1.一种QLED发光器件，其特征在于，包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、第二电极层，其中，所述发光层包括层叠设置的多个量子点层，在靠近所述电子注入层一侧，所述量子点层之间设置有绝缘层。
2.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，在所述发光层内，相邻两所述量子点间均设置有所述绝缘层。
3.如权利要求2所述的QLED发光器件，其特征在于，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度大于靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度。
4.如权利要求3所述的QLED发光器件，其特征在于，从靠近所述电子注入层的一侧到靠近所述空穴注入层的一侧，所述绝缘层的厚度依次递减。
5.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，所述绝缘层的制备材料为聚甲基丙烯酸甲酯材料。
6.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为3纳米至8纳米。
7.如权利要求6所述的QLED发光器件，其特征在于，靠近所述电子注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为6纳米至8纳米。
8.如权利要求6所述的QLED发光器件，其特征在于，靠近所述空穴注入层一侧的所述绝缘层的厚度范围为3纳米至5纳米。
9.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，在靠近所述电子注入层一侧，所述绝缘层的厚度相等，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间未设置所述绝缘层。
10.如权利要求1所述的QLED发光器件，其特征在于，在靠近所述电子注入层一侧，相邻两所述量子点层间设置有至少两层所述绝缘层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010323410.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
