[发明专利]光学晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种光学晶片封装体，包括：

第一透明基底，具有第一表面及与其相对的第二表面；

第二透明基底，位于该第一透明基底上方，且具有第一表面及与其相对的第二表面；以及

间隔层，接合于该第一透明基底的该第二表面与该第二透明基底的该第一表面之间；

其中凹口区自该第二透明基底的该第二表面延伸至该第一透明基底内，使该第一透明基底具有阶梯型侧壁，且其中该第一透明基底的厚度不同于该第二透明基底的厚度。

2.根据权利要求1所述的光学晶片封装体，其中该凹口区围绕该第一透明基底、该间隔层及该第二透明基底。

3.根据权利要求2所述的光学晶片封装体，其中该凹口区包括第一凹口，该第一凹口的底部位于该第一透明基底的该第二表面下方，且具有圆化角落。

4.根据权利要求3所述的光学晶片封装体，其中该第一凹口具有倾斜侧壁。

5.根据权利要求3所述的光学晶片封装体，其中该凹口区还包括第二凹口，自该第一凹口的该底部向该第一透明基底的该第一表面延伸，其中该第二凹口的底部具有圆化角落。

6.根据权利要求5所述的光学晶片封装体，其中该第一凹口具有倾斜侧壁，且该第二凹口具有垂直侧壁。

7.根据权利要求1所述的光学晶片封装体，还包括：

第一光学材料层，设置于该第一透明基底的该第二表面与该间隔层之间；以及

第二光学材料层，设置于该第二透明基底的该第一表面与该间隔层之间；

其中该第一光学材料层的膜应力不同于该第二光学材料层的膜应力。

8.根据权利要求7所述的光学晶片封装体，其中该第一光学材料层的该膜应力小于该第二光学材料层的该膜应力，且该第一透明基底的该厚度大于该第二透明基底的该厚度。

9.根据权利要求7所述的光学晶片封装体，其中该第一光学材料层的该膜应力大于该第二光学材料层的该膜应力，且该第一透明基底的该厚度小于该第二透明基底的该厚度。

10.根据权利要求7所述的光学晶片封装体，其中该间隔层具有开口，以露出该第一光学材料层及该第二光学材料层。

11.根据权利要求10所述的光学晶片封装体，其中该间隔层由非透明绝缘材料所构成。

12.根据权利要求1所述的光学晶片封装体，其中该间隔层由透明绝缘材料所构成。

13.根据权利要求1所述的光学晶片封装体，其中该第一透明基底及该第二透明基底由玻璃或石英所构成。

14.根据权利要求1所述的光学晶片封装体，还包括：

导电图案层，设置于该第一透明基底的该第一表面上或该第二透明基底的该第二表面上。

15.一种光学晶片封装体的制造方法，包括：

提供第一透明基底及第二透明基底，其中该第一透明基底及该第二透明基底分别具有第一表面及与其相对的第二表面，且具有晶片区及围绕该晶片区的切割道区；

通过间隔层接合该第一透明基底的该第二表面与该第二透明基底的该第一表面；

分别对该第一透明基底的该第一表面与该第二透明基底的该第二表面进行薄化制程，使该第一透明基底的厚度不同于该第二透明基底的厚度；以及

通过第一刀具进行第一切割制程，以在该第一透明基底的该切割道区与该第二透明基底的该切割道区形成第一开口，其中该第一开口自该第二透明基底的该第二表面延伸至该第一透明基底内。