[发明专利]一种纳米晶MoS2 有效
| 申请号: | 202010322092.0 | 申请日: | 2020-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN111378928B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 高晓明;张瑞;翁立军;孙嘉奕;崔琦峰;胡明;伏彦龙;杨军;王德生;姜栋;王琴琴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所;上海宇航系统工程研究所 |
| 主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;F16C33/66 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 王术娜 |
| 地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 mos base sub | ||
本发明提供一种纳米晶MoS2固体润滑薄膜及其制备方法和应用,属于固体润滑薄膜技术领域。本发明提供的制备方法,包括以下步骤:利用溅射方法在钢材表面沉积MoS2薄膜,得到沉积后钢材;将所述沉积后钢材进行真空热处理,在所述沉积后钢材表面得到纳米晶MoS2固体润滑薄膜。本发明利用溅射方法制得的MoS2薄膜具有致密的类非晶结构;利用真空热处理能够使MoS2薄膜的结构由类非晶结构向纳米晶结构转变。本发明通过将溅射方法与真空热处理相结合来调控MoS2薄膜中MoS2的结晶性,以实现对纳米晶MoS2固体润滑薄膜摩擦学性能的调控,进而提高纳米晶MoS2固体润滑薄膜的摩擦学性能。
技术领域
本发明属于固体润滑薄膜技术领域,尤其涉及一种纳米晶MoS2固体润滑薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
MoS2是一种典型的层状结构化合物,层内原子间通过强共价键结合,而层间通过弱范德华力结合,在剪切作用下层间极易滑移,从而表现出良好的润滑性能。
通过溅射方法制备的MoS2薄膜,常被用于真空及惰性气氛环境条件下机械运动部件的固体润滑,此种薄膜材料也是目前航天领域最为常用的固体润滑材料之一。溅射得到的MoS2薄膜通常表现为双层结构,(约100nm~300 nm)为致密的基面取向层(002晶面平行于基体表面),底层之上为多孔的棱面取向层(hk0晶面平行于基体表面)。在摩擦过程中,多孔的棱面取向层会在摩擦初期很快磨损殆尽,而底层致密的基面取向层厚度较薄,导致MoS2薄膜的耐磨性能较差。另外,利用超低温沉积技术可得到结构非常致密的非晶态MoS2薄膜,但由于其非晶结构而不具有润滑性。
发明内容
鉴于此,本发明目的在于提供一种纳米晶MoS2固体润滑薄膜及其制备方法和应用,本发明提供的制备方法制得的纳米晶MoS2固体润滑薄膜兼具致密的结构和良好的润滑性。
为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:
本发明提供了一种纳米晶MoS2固体润滑薄膜的制备方法,包括以下步骤:
利用溅射方法在钢材表面沉积MoS2薄膜,得到沉积后钢材;
将所述沉积后钢材进行真空热处理,在所述沉积后钢材表面得到纳米晶 MoS2固体润滑薄膜。
优选地,所述真空热处理的温度为100~300℃,时间为60~240min。
优选地,升温至所述真空热处理的温度的升温速率为5~20℃/min。
优选地,所述溅射为MoS2靶溅射,所述MoS2靶溅射的电源功率为 4~8kW,工件架转速为1~3r/min,负偏压值为-0~-200V。
优选地,所述溅射的沉积时间为80~200min。
优选地,所述溅射在氩气气氛中进行,所述氩气的分压为0.1~3.0Pa。
优选地,溅射前,还包括对所述钢材的表面进行离子轰击,所述离子轰击的偏压电源负偏压为-100~-200V,时间为10~30min。
优选地,所述离子轰击在氩气气氛中进行,所述氩气的分压为0.1~2.0Pa。
本发明还提供了上述技术方案所述制备方法制得的纳米晶MoS2固体润滑薄膜,所述纳米晶MoS2固体润滑薄膜的厚度为1~3μm。
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