[发明专利]光刻胶的涂布方法

说明书

本申请公开了一种光刻胶的涂布方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台；利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面；清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆背面，预设参数包括转速和转动时间；控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶；涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜；解决了不配备清洗装置的涂胶显影机台在工作时容易因下排管道的压力过高报警的问题；达到了在不改造涂胶显影机台的硬件结构的情况下疏通下排管道，避免出现下排管道内的排风压力高，以及避免光刻胶膜厚异常的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶的涂布方法。

背景技术

集成电路制造包括光刻、刻蚀、淀积、氧化、离子注入、机械化学平坦化等。其中，光刻的本质是将电路结构复制到将要进行刻蚀和离子注入的硅片上，光刻直接影响后续工艺的质量。光刻工艺的基本步骤主要是涂胶、曝光和显影，光刻工艺中使用的工具主要是涂胶显影机台(Track)和曝光机。

在制造功率器件时，为了提高功率器件在高温高压环境下的可靠性，一般需要使用很厚的光刻胶作为表面保护层，采用的光刻胶一般选用聚酰亚胺(Polyimide)。聚酰亚胺为一种有机高分子材料，具有耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性。

由于聚酰亚胺的粘稠度很高，在涂布过程中会粘附堆积在涂胶显影机台的下排管道内，导致下排管道的压力过高报警，影响涂布的聚酰亚胺的膜厚。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻胶的涂布方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶的涂布方法，该方法包括：

将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台；

利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面；

清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆背面，预设参数包括转速和转动时间；

控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶；

涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜。

可选的，光刻胶为非感光性聚酰亚胺。

可选的，利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面，包括：

控制晶圆转动；

通过晶圆下方的喷洗阀向晶圆背面喷洒光刻胶溶剂。

可选的，晶圆的下方至少设置有两个喷洗阀。

可选的，光刻胶溶剂为N-甲基吡咯烷酮。

可选的，清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆的背面，包括：

清洗完成后，在预定转动时间内控制晶圆按预设转速转动，甩干晶圆的背面；

其中，预设转速从低到高变化。

可选的，预设转速的范围为1500RPM-3500RPM。

可选的，涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜，包括：

涂胶完成后，控制晶圆逐渐加速转动，令光刻胶成膜。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台上后，先利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面，清洗晶圆背面的光刻胶溶剂流入涂胶显影机台的下排管道内，溶解堆积在下排管道中的光刻胶，然后再将光刻胶涂布在晶圆的正面，解决了不配备清洗装置的涂胶显影机台在工作时容易因下排管道的压力过高报警的问题；达到了在不改造涂胶显影机台的硬件结构的情况下疏通下排管道，避免出现下排管道内的排风压力高，以及避免光刻胶膜厚异常的效果。