[发明专利]载盘结构

说明书

本发明提供一种载盘结构，适于配置于一沉积设备上，该载盘结构包括一第一载盘以及一第二载盘，其中第一载盘设置于沉积设备上，以受沉积设备控制温度，且第一载盘包括一第一承载部以及至少一热导结构，第一承载部设置于第一载盘的顶面上，至少一热导结构设置于第一承载部的凹槽中。第二载盘设置于第一承载部以及至少一热导结构上。

技术领域

本发明涉及一种载盘结构。

背景技术

环境条件经常是在半导体外延(epitaxy)过程中影响元件生长状况的一个重要因子，例如，当在基板上生长元件或层结构时，需要基板具有均匀的温度分布，以提高生产良率。

在制程过程中，经常是以外延载盘来乘载生长基板，并通过沉积设备的加热模块来加热其上的基板，然而，现有的载盘会出现温度不均的状况，导致设置于其上的基板的中央区域出现温度较低的状况。

发明内容

本发明是针对一种载盘结构，改善了温度不均的状况。

根据本发明一实施例，提供一种载盘结构，适于配置于一沉积设备上，该载盘结构包括一第一载盘以及一第二载盘，其中第一载盘设置于沉积设备上，以受沉积设备控制温度，且第一载盘包括一第一承载部以及至少一热导结构，第一承载部设置于第一载盘的顶面上，至少一热导结构设置于第一承载部的一凹槽中。第二载盘设置于第一承载部以及至少一热导结构上。

基于上述，本发明的实施例的载盘结构通过设置热导结构来提高第二载盘中央区域的温度，进而提升第二载盘所乘载的基板的温度均匀度，以提升制程良率。

附图说明

图1A是根据本发明一实施例的载盘结构；

图1B是图1A的载盘结构设置于沉积设备时沿着虚线II-II’的截面图；

图1C是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图2A是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图2B是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图3A是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图3B是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图4A是根据本发明一实施例的载盘结构；

图4B是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图；

图4C是根据本发明一实施例的载盘结构局部示意图。

附图标记说明

200，500：载盘结构

201，501：第一载盘

202，502：第二载盘

205：加热模块

203，302，402，503：第一承载部

204，301，401，504：热导结构

206，303，403，505：凹槽

207，304，404，507：定位结构

208，508：第二载盘中心孔

506：喷气气孔

509：气流凹槽

510：附加热导结构

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。