[发明专利]载盘结构有效
申请号: | 202010317304.6 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111490002B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 陈佶亨;吴俊德;赖彦霖 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盘结 | ||
1.一种载盘结构,其特征在于,适于配置于沉积设备上,所述载盘结构包括:
第一载盘,设置于所述沉积设备上,以受所述沉积设备控制温度,所述第一载盘包括:
第一承载部,设置于所述第一载盘的顶面上;以及
至少一热导结构,设置于所述第一承载部的凹槽中;以及
第二载盘,设置于所述第一承载部以及所述至少一热导结构上,
其中所述至少一热导结构设置于所述第一承载部的所述凹槽的底面上,所述第一承载部进一步包括定位结构,其一端部设置于所述第一承载部的中心,其另一端部抵设所述第二载盘的中心,且所述至少一热导结构相对于所述定位结构对称设置。
2.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,在所述第一载盘的法线方向上,所述至少一热导结构的高度与所述凹槽的深度的比值大于等于0.1,且小于等于1.5。
3.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,在所述第一载盘的法线方向上,所述第二载盘与所述至少一热导结构的距离大于0cm,且小于等于1cm。
4.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,在所述第一载盘的法线方向上,所述至少一热导结构的高度和所述第二载盘与所述凹槽的所述底面的距离的比值落在0.2至0.8的范围内。
5.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,在垂直于所述第一载盘的法线的面上,所述至少一热导结构的面积小于等于所述第一载盘的面积的5%,小于等于所述第一承载部的面积的10%,且落在所述凹槽的面积的50%至90%的范围内。
6.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,所述第一承载部进一步包括多个气流凹槽且所述第一承载部进一步包括多个附加热导结构,设置于所述多个气流凹槽的底面上,其中所述多个附加热导结构中的每一个的热导率小于等于所述至少一热导结构的热导率。
7.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,所述第一承载部进一步包括多个附加热导结构,设置于所述第一承载部的所述凹槽外,所述多个附加热导结构中的每一个的热导率小于等于所述至少一热导结构的热导率。
8.根据权利要求7所述的载盘结构,其特征在于,在垂直于所述第一载盘的法线的面上,所述多个附加热导结构的总面积小于所述至少一热导结构的面积。
9.根据权利要求1所述的载盘结构,其特征在于,所述第一承载部进一步包括至少一喷气气孔,当所述至少一个喷气气孔喷气,在所述第一载盘的法线方向上,所述至少一热导结构与所述第二载盘的距离和所述第一承载部的顶面与所述第二载盘的距离的比值落在0.1至1.5的范围内。
10.一种载盘结构,其特征在于,适于配置于沉积设备上,所述载盘结构包括:
载盘,设置于所述沉积设备上,以受所述沉积设备控制温度,所述载盘包括:
承载部,设置于所述载盘的顶面上;
至少一热导结构,设置于所述承载部的中心凹槽;以及
定位结构,设置于所述承载部的所述中心凹槽,且所述至少一热导结构相对于所述定位结构对称设置;
其中所述热导结构于所述承载部上的投影面积大于等于所述定位结构于所述承载部上的投影面积,且所述热导结构的热导率大于等于所述定位结构的热导率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造