[发明专利]一种背钝化太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202010317202.4 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111490130A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 马玉超;廖晖;何保杨;单伟;何胜;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田媛媛 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:
获得太阳能电池的前驱体,所述前驱体包括由上至下依次层叠的隧穿层、发射极层、P型硅片;
将所述前驱体置于链式机台或板式机台的炉腔,控制所述炉腔温度在170℃至190℃之间,并向所述炉腔内通入臭氧,在所述前驱体的下表面形成氧化硅层;
在所述氧化硅层的下表面形成钝化层;
在所述隧穿层的上表面形成第一减反层;
在所述钝化层的下表面形成第二减反层,并对所述第二减反层进行开孔处理,得到处理后减反层;
在所述第一减反层的上表面形成正面电极,并在所述处理后减反层的下表面形成背面电极。
2.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述获得太阳能电池的前驱体包括:
对所述P型硅片的上表面进行磷掺杂形成发射极层;
去除磷扩散形成的磷硅玻璃,并对所述P型硅片的下表面进行抛光处理;
在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层。
3.如权利要求2所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层包括:
利用高温热氧化法、硝酸氧化法、链式热臭氧氧化法、板式热臭氧氧化法、化学气相沉积法中的任一种方法,在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层。
4.如权利要求3所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,在所述对所述P型硅片的上表面进行磷扩散形成发射极层之前,还包括:
对所述P型硅片的所述上表面进行制绒。
5.如权利要求4所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,对所述P型硅片进行制绒的方法为湿法碱制绒或者反应离子刻蚀法。
6.如权利要求5所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,在所述去除磷扩散形成的磷硅玻璃之前,还包括:
对所述发射极层进行选择性发射电极掺杂。
7.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述隧穿层的上表面形成第一减反层包括:
利用等离子体增强化学气相沉积法,在所述隧穿层的上表面形成所述第一减反层。
8.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述氧化硅层的下表面形成钝化层包括:
利用原子层沉积方法,在所述氧化硅层的下表面形成所述钝化层。
9.一种背钝化太阳能电池,其特征在于,所述背钝化太阳能电池由如权利要求1至8任一项所述的背钝化太阳能电池制备方法制得,其中,所述背钝化太阳能电池包括由上至下依次层叠的正面电极、第一减反层、隧穿层、发射极层、P型硅片、氧化硅层、钝化层、处理后减反层、背面电极。
10.如权利要求9所述的背钝化太阳能电池,其特征在于,所述氧化硅层的厚度取值范围为1纳米至30纳米,包括端点值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的