[发明专利]一种背钝化太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010317202.4 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN111490130A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 马玉超;廖晖;何保杨;单伟;何胜;徐伟智 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田媛媛
地址: 310051 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:

获得太阳能电池的前驱体,所述前驱体包括由上至下依次层叠的隧穿层、发射极层、P型硅片;

将所述前驱体置于链式机台或板式机台的炉腔,控制所述炉腔温度在170℃至190℃之间,并向所述炉腔内通入臭氧,在所述前驱体的下表面形成氧化硅层;

在所述氧化硅层的下表面形成钝化层;

在所述隧穿层的上表面形成第一减反层;

在所述钝化层的下表面形成第二减反层,并对所述第二减反层进行开孔处理,得到处理后减反层;

在所述第一减反层的上表面形成正面电极,并在所述处理后减反层的下表面形成背面电极。

2.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述获得太阳能电池的前驱体包括:

对所述P型硅片的上表面进行磷掺杂形成发射极层;

去除磷扩散形成的磷硅玻璃,并对所述P型硅片的下表面进行抛光处理;

在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层。

3.如权利要求2所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层包括:

利用高温热氧化法、硝酸氧化法、链式热臭氧氧化法、板式热臭氧氧化法、化学气相沉积法中的任一种方法,在所述发射极层的上表面形成所述隧穿层。

4.如权利要求3所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,在所述对所述P型硅片的上表面进行磷扩散形成发射极层之前,还包括:

对所述P型硅片的所述上表面进行制绒。

5.如权利要求4所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,对所述P型硅片进行制绒的方法为湿法碱制绒或者反应离子刻蚀法。

6.如权利要求5所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,在所述去除磷扩散形成的磷硅玻璃之前,还包括:

对所述发射极层进行选择性发射电极掺杂。

7.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述隧穿层的上表面形成第一减反层包括:

利用等离子体增强化学气相沉积法,在所述隧穿层的上表面形成所述第一减反层。

8.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池制备方法,其特征在于,所述在所述氧化硅层的下表面形成钝化层包括:

利用原子层沉积方法,在所述氧化硅层的下表面形成所述钝化层。

9.一种背钝化太阳能电池,其特征在于,所述背钝化太阳能电池由如权利要求1至8任一项所述的背钝化太阳能电池制备方法制得,其中,所述背钝化太阳能电池包括由上至下依次层叠的正面电极、第一减反层、隧穿层、发射极层、P型硅片、氧化硅层、钝化层、处理后减反层、背面电极。

10.如权利要求9所述的背钝化太阳能电池,其特征在于,所述氧化硅层的厚度取值范围为1纳米至30纳米,包括端点值。

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