[发明专利]集成电路器件及制造其的方法

说明书

提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，所述集成电路器件包括：导电线，包括金属层；以及绝缘盖结构，覆盖导电线。绝缘盖结构包括：第一绝缘盖图案，在绝缘盖结构中与金属层相邻并且具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。为了制造所述集成电路器件，在基底上形成具有金属层的导电线，直接在金属层上形成具有第一密度的第一绝缘盖层，并且在第一绝缘盖层上形成具有比第一密度大的第二密度的第二绝缘盖层。

本申请要求于2019年8月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0102456号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法，具体地，涉及一种包括位线的集成电路器件。

背景技术

随着集成电路器件已经快速地缩小，多条布线之间的间隔减小，并且由多条布线和置于多条布线之间的多个导电结构占据的面积也减小。因此，难以在多条布线和多个导电结构之中确保足够的接触面积。因此，期望开发一种能够抑制在有限区域内密集布置的布线的电阻的增加的结构以及实现该结构的方法。

发明内容

根据发明构思的方面，提供了一种集成电路器件，该集成电路器件具有能够抑制布线的电阻的增加的结构，该布线密集布置在根据集成电路器件的缩小而具有精细单位单元尺寸的集成电路器件中的有限区域内。

根据发明构思的另一方面，提供了一种制造集成电路器件的方法，该集成电路器件具有能够抑制布线的电阻的增加的结构，该布线密集地布置在根据集成电路器件的缩小而具有精细单位单元尺寸的集成电路器件中的有限区域内。

根据实施例，提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：导电线，形成在基底上，导电线包括金属层并且在相对于基底的上表面的第一水平方向上延伸；以及绝缘盖结构，覆盖导电线。其中，绝缘盖结构包括：第一绝缘盖图案，具有第一密度，第一绝缘盖图案与金属层相邻；以及第二绝缘盖图案，与金属层竖直地间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。

根据另一实施例，提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：一对位线，在基底上沿相对于基底的上表面的第一水平方向彼此平行地延伸，所述一对位线在相对于基底的上表面的第二水平方向上彼此相邻；一对绝缘盖结构，分别覆盖所述一对位线；以及接触结构，在竖直方向上从所述一对位线之间延伸至所述一对绝缘盖结构之间，其中，所述一对位线均包括金属层，并且所述一对绝缘盖结构中的每个包括：第一绝缘盖图案，位于金属层上，第一绝缘盖图案具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。

根据另一实施例，提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；位线，在单元阵列区域中位于基底上，位线包括第一金属层；第一绝缘盖结构，在单元阵列区域中覆盖位线；栅电极，在外围电路区域中位于基底上，栅电极包括第二金属层；以及第二绝缘盖结构，在外围电路区域中覆盖栅电极，其中，第一绝缘盖结构和第二绝缘盖结构中的每个包括：第一绝缘盖图案，具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与基底间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与基底之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度，第一金属层与包括在第一绝缘盖结构中的第一绝缘盖图案接触，第一金属层包括掺杂有氮(N)原子的第一区域，第一区域从第一金属层与第一绝缘盖结构中的第一绝缘盖图案之间的界面朝向基底延伸并且具有第一金属层的部分厚度。

根据另一实施例，提供了一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：在基底上形成导电线，导电线包括金属层；在导电线上形成绝缘盖结构，绝缘盖结构包括多个绝缘盖图案。形成绝缘盖结构的步骤包括直接在金属层上形成第一绝缘盖层，第一绝缘盖层具有第一密度。在第一绝缘盖层上形成第二绝缘盖层，第二绝缘盖层具有比第一密度大的第二密度。