[发明专利]集成电路器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

导电线，形成在基底上，导电线包括金属层并且在相对于基底的上表面的第一水平方向上延伸；以及

绝缘盖结构，覆盖导电线，

其中，绝缘盖结构包括：

第一绝缘盖图案，具有第一密度，第一绝缘盖图案与金属层相邻；以及

第二绝缘盖图案，与金属层竖直地间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案和第二绝缘盖图案彼此接触，并且

第一绝缘盖图案在相对于基底的上表面的第二水平方向上的宽度等于第二绝缘盖图案在第二水平方向上的宽度，第二水平方向垂直于第一水平方向。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案与金属层接触，并且

金属层包括掺杂有氮原子的第一区域，第一区域从金属层与第一绝缘盖图案之间的界面朝向基底延伸并且具有比金属层的厚度小的第一厚度。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，

金属层的第一区域的第一厚度在至之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案的底表面与金属层的上表面接触，并且

第二绝缘盖图案的底表面与第一绝缘盖图案的上表面接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案和第二绝缘盖图案均包括氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案包括碳氮化硅层，第二绝缘盖图案包括氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

接触结构，在相对于基底的上表面的第二水平方向上面对导电线的侧壁和绝缘盖结构的侧壁，第二水平方向垂直于第一水平方向。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

导电线包括顺序地堆叠在基底上的下导电图案、中间导电图案和上导电图案，并且

下导电图案包括掺杂多晶硅，中间导电图案包括TiN、TiSiN或它们的组合，上导电图案包括钨。

10.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

一对位线，在基底上沿相对于基底的上表面的第一水平方向彼此平行地延伸，所述一对位线在相对于基底的上表面的第二水平方向上彼此相邻；

一对绝缘盖结构，分别覆盖所述一对位线，以及

接触结构，在竖直方向上从所述一对位线之间延伸至所述一对绝缘盖结构之间，

其中，所述一对位线均包括金属层，并且

所述一对绝缘盖结构中的每个包括：

第一绝缘盖图案，位于金属层上，第一绝缘盖图案具有第一密度；以及

第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中，

在所述一对绝缘盖结构的至少一个中，第一绝缘盖图案的在第二水平方向上的宽度等于第二绝缘盖图案的在第二水平方向上的宽度。

12.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中，

第一绝缘盖图案与金属层接触，并且

金属层包括与第一绝缘盖图案接触的钨层和分布在钨层中的氮化钨颗粒，钨层包括钨原子和氮原子，氮原子分布在钨层的与第一绝缘盖图案接触的局部区域的钨原子之间而不与钨原子发生任何化学反应。