[发明专利]包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法

说明书

本专利申请案涉及包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法。一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。

优先权主张

本申请案主张2019年5月23日申请的题为“包含层压间隔件结构的设备及相关存储器装置、电子系统及方法(Apparatuses Including Laminate Spacer Structures,andRelated Memory Devices,Electronic Systems,and Methods)”的序列号为16/420,429的美国临时专利申请案的申请日期的权益。

技术领域

本发明的实施例涉及微电子装置设计及制造领域。更具体来说，本发明的实施例涉及包含层压间隔件结构的设备及相关存储器装置、电子系统及方法。

背景技术

微电子装置(例如半导体装置)的设计者希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来不断提高微电子装置内的特征的集成度或密度。另外，微电子装置设计者通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优点及简化设计的设计架构。

相对常见的微电子装置是存储器装置。如本文中使用，术语“存储器装置”意味着且包含并入(但不限于)存储器结构及功能的微电子装置。存储器装置可包含具有布置成栅格图案的许多存储器单元的存储器阵列。一种类型的存储器单元是动态随机存取存储器(DRAM)。在最简单的设计配置中，DRAM单元包含一个存取装置(例如晶体管)及一个存储装置(例如电容器)。存储器装置的现代应用可利用布置成多行多列阵列的大量DRAM单元胞元。DRAM单元的典型存取装置包含一对源极/漏极区域之间的通道区域及经配置以通过通道区域使源极/漏极区域彼此电连接的栅极。DRAM单元的典型电容器包含两个电极及介入于所述两个电极之间且分离所述两个电极的电介质结构(例如电介质膜)。可通过沿阵列的行及列布置的数字线及字线电存取DRAM装置的DRAM单元。

减小存储器装置特征的尺寸及间隔对用于形成存储器装置特征的方法提出越来越高要求。举例来说，DRAM装置制造商面临随着特征间隔减小而减小DRAM单元面积以适应提高特征密度的巨大挑战。减小紧密布置的数字线之间的间隔会导致不合意电耦合(例如电容耦合)效应，这会导致高速DRAM应用的显著感测裕度损失。一种以相对较高特征密度减小此类不合意电耦合效应的方法已形成毗邻阵列的数字线的气隙。然而，形成此气隙的常规过程会不合意地攻击(例如蚀刻)接近气隙定位的阵列的其它特征的导电材料(例如金属)。此攻击会招致降低特征及装置可靠性，从而需要复杂过程来减轻此攻击或导致导电材料沉积于气隙内，这会在DRAM装置的使用及操作期间引起电短路。

因此，需要避免与常规设备配置(例如包含毗邻导电结构(例如数字线)的气隙的常规配置)相关联的问题的新设备配置及相关联微电子装置(例如存储器装置)、电子系统及形成设备的方法。

发明内容

本发明的实施例涉及包含层压间隔件结构的设备及相关存储器装置、电子系统及方法。在一些实施例中，一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。