[发明专利]包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

导电结构；

另一导电结构；及

层压间隔件结构，其在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间，所述层压间隔件结构包括：

电介质间隔件结构；

另一电介质间隔件结构；及

额外电介质间隔件结构，其插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间，所述额外电介质间隔件结构包括：

至少一个电介质材料；及

气窝，其分散于所述至少一个电介质材料内。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构具有低于SiO₂的介电常数的介电常数。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝在所述第一方向上各自个别地展现小于或等于所述额外电介质间隔件结构的最大宽度的约三分之一的最大宽度。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝各自个别地展现从约0.4nm到约1.3nm的范围内的最大宽度。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝包括H₂气窝。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝基本上同质地分散于所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料内。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外电介质间隔件结构的所述气窝异质地分散于所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料内。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构在所述第一方向上的宽度是在从约6nm到约9nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构的所述电介质间隔件结构、所述另一电介质间隔件结构及所述额外电介质间隔件结构在所述第一方向上各自个别地展现从约2nm到约4nm的范围内的宽度。

10.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述电介质间隔件结构及所述另一电介质间隔件结构各自包括电介质氮化物材料及电介质碳氮化物材料中的一或多者；且

所述额外电介质间隔件结构的所述至少一个电介质材料包括电介质氧化物材料、额外电介质氮化物材料、额外电介质碳氮化物材料、电介质氮氧化物材料、氢化电介质碳氧化物材料、电介质碳氧化物材料及电介质碳氮氧化物材料中的一或多者。

11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括所述层压间隔件结构上的电介质衬层结构，所述层压间隔件结构的所述额外电介质间隔件结构基本上由所述电介质衬层结构、所述层压间隔件结构的所述电介质间隔件结构及所述层压间隔件结构的所述另一电介质间隔件结构的组合囊封。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述层压间隔件结构在正交于所述第一方向的第二方向上延伸超过所述导电结构及所述另一导电结构的边界。

13.一种形成设备的方法，其包括：

在插入于导电结构之间的开口内形成层压间隔件结构，所述层压间隔件结构中的每一者包括：

第一电介质间隔件结构；

第二电介质间隔件结构，其向内毗邻所述电介质间隔件结构且包括浸透包括H、He及Ne中的一或多者的至少一个掺杂物的电介质材料；及

第三电介质间隔件结构，其内向毗邻所述第二电介质间隔件结构；

形成在所述开口内且插入于所述层压间隔件结构之间的另一导电结构；及

加热所述层压间隔件结构以将所述层压间隔件结构中的每一者的所述第二电介质间隔件结构转换成包括分散于所述电介质材料内的气窝的经改质第二电介质间隔件结构。