[发明专利]一种拉晶方法

说明书

本发明提供了一种拉晶方法，涉及太阳能光伏技术领域。应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；拉晶至第一预设长度；在从所述第一预设长度拉晶至第二预设长度的过程中，调整所述相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；在所述相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。通过调整热屏与加热器之间的距离，降低氧的溶解度，降低了单晶的氧含量，操作便捷，具有很强的通用性。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种拉晶方法。

背景技术

目前单晶硅常用的生产工艺为直拉法。直拉法得到的单晶硅棒经常存在氧含量偏高的现象，会影响硅太阳能电池的光电转换效率。

目前，在直拉法中降低单晶硅棒的氧含量常用的方法是改变晶转和埚转、调整保护气体的压力及加大导流筒尺寸等方式。上述方法通常操作较为复杂。

发明内容

本发明提供一种拉晶方法，旨在解决直拉法中降低单晶硅棒的氧含量操作复杂的问题。应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，所述方法包括：

熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；

拉晶至第一预设长度；

在所述第一预设长度的基础上继续拉晶至第二预设长度，在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；所述第二预设距离大于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离；

在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。

可选的，所述在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，包括：

在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，匀速调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离。

可选的，在所述第一预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离，且所述第二预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离的情况下，第一差值除以第二差值的商为预设值；所述第一差值等于所述第一预设距离减去所述第二预设距离，所述第二差值等于所述第二预设长度减去所述第一预设长度。

可选的，所述最大距离为125mm，所述最小距离为65mm。

可选的，所述在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶，包括：

在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离保持所述第二预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。

可选的，所述加热器在所述热场中的位置不变，通过调整所述热屏的位置，改变所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离。

可选的，所述熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离，包括：

熔料结束后，下降所述热屏，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；