[发明专利]一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质

说明书

本发明公开了一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质，所述方法包括：加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。本发明使用缓存替代读写Flash芯片的存储块，因为缓存的读写速度很快，所以提高了读写速度，对于实际中经常发生的连续读写同一个存储块数据的场景，优化去掉连续读写过程中的不必要的步骤，进一步提高了读写的效率。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质。

背景技术

Flash芯片是一种有独特特性的数据存储芯片，Flash芯片失电后数据不会丢失，Flash芯片内部的存储空间分成若干个大小相等的存储块，通常每个存储块有128K字节大小，一个Flash存储芯片有数百甚至上千个存储块。在往某个存储块写入数据之前需要擦除该存储块中的数据，并不能直接覆盖式的写入。所以Flash芯片的数据写入存储块的过程比较繁琐，首先需要完整的读出这个存储块中的数据到内存中，在内存中的存储块旧数据上编辑新数据；然后擦除芯片上该存储块的所有数据，最后把内存中存储块的数据一起写入芯片上的这个存储块。

每次写入数据到Flash芯片都额外需要一次读出数据和一次擦除数据的操作，降低了数据写入的效率。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种提高芯片读写速度的方法、智能终端及存储介质，旨在解决现有技术中每次写入数据到Flash芯片都额外需要一次读出数据和一次擦除数据的操作，降低了数据写入的效率的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种提高芯片读写速度的方法，所述提高芯片读写速度的方法包括如下步骤：

加载Flash芯片驱动时，申请预设个数存储块大小的内存作为Flash芯片存储块存储数据的缓存；

请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据；

每隔预设时间检查一次存储块的缓存数据是否有改动，如果有则写入到对应的Flash芯片的存储块中。

可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述预设个数为8个，表示缓存中最多可以同时容纳8个存储块的数据。

可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据，具体包括：

请求读写第一存储块，判断第一存储块的数据是否在缓存中；

当是时，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据；

当否时，获取缓存中最长时间未被访问过的第二存储块的缓存，擦除Flash芯片第二存储块的数据，将第二存储块在缓存中的数据写入Flash芯片第二存储块中，释放第二存储块占用的缓存，读取Flash芯片的第一存储块的数据到释放的缓存中，更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。

可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述请求读写存储块后，更新缓存中存储块的访问时间，并读写缓存中存储块的数据，还包括：

在一段时间内连续读写第一存储块的数据，当缓存中已有第一存储块的数据时，直接更新缓存中第一存储块的访问时间，并读写缓存中第一存储块的数据。

可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，所述预设时间为60秒。

可选地，所述的提高芯片读写速度的方法，其中，缓存的读写速度大于存储块的读写速度。