[发明专利]包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法

说明书

本专利申请案涉及包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法。一种设备包括第一电极，其竖直延伸穿过隔离材料；第二电极，其水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间；和电介质结构，其水平且竖直介于所述第二电极与所述第一电极中的所述两个或更多个第一电极之间。

优先权主张

本申请案主张2019年5月17日申请的“包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法(Apparatuses Including Capacitor Structures,and RelatedMemory Devices,Electronic Systems,and Methods)”美国临时专利申请案第16/416,025号的申请日的权益。

技术领域

本公开的实施例涉及电子装置设计和制造领域。更具体地，本公开的实施例涉及包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法。

背景技术

电子装置(例如，半导体装置)设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸和通过减小相邻特征之间的分隔距离来增加半导体装置内的特征的集成度或密度。另外，电子装置设计者通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。

相对常见的电子装置是存储器装置。如本文中所使用，术语“存储器装置”是指并包含并入有(但不限于)存储器结构和功能的电子装置。存储器装置可包含具有布置成网格图案的数个存储器单元的存储器阵列。一种类型的存储器单元是动态随机存取存储器(DRAM)。在最简单的设计配置中，DRAM单元包含一个存取装置，例如晶体管，以及一个存储装置，例如电容器。存储器装置的现代应用可利用大量的布置成行和列阵列的DRAM单位单元。用于DRAM单元的典型存取装置包含一对源极/漏极区之间的沟道区，以及被配置成使源极/漏极区通过沟道区电连接到彼此的栅极。DRAM单元的典型电容器包含两个电极和介于所述两个电极之间并且隔开所述两个电极的电介质结构(例如，电介质膜)。可通过沿着阵列的行和列布置的数字线和字线来电存取DRAM装置的DRAM单元。

DRAM装置制造者面临着随着特征间距减小而减小DRAM单元面积以适应增加的特征密度带来的严峻挑战。DRAM装置内采用的不同特征的数量、尺寸和布置可能会不合期望地阻碍DRAM装置的大小的减少、DRAM装置的存储密度的增加和/或制造成本的减少。举例来说，DRAM装置的DRAM单元的常规电容器的配置可能会阻碍或阻止合乎需要地减小包含常规电容器的横向相邻DRAM单元之间的间距。

因此，需要包含新电容器配置的设备，以及相关联电子装置(例如，存储器装置)、电子系统和形成设备的方法。

发明内容

本文中所公开的实施例涉及包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法。在一些实施例中，一种设备包括第一电极，其竖直延伸穿过隔离材料；第二电极，其水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间；和电介质结构，其水平且竖直介于所述第二电极与所述第一电极中的所述两个或更多个第一电极之间。

在额外实施例中，一种设备第一竖直延伸的电极；第二竖直延伸的电极；第三竖直延伸的电极；开口，其处于所述第一竖直延伸的电极的侧壁、所述第二竖直延伸的电极的侧壁和所述第三竖直延伸的电极的侧壁之间并且部分地由所述第一竖直延伸的电极的侧壁、所述第二竖直延伸的电极的侧壁和所述第三竖直延伸的电极的侧壁界定；第四竖直延伸的电极，其处于所述竖直延伸的开口内；和电介质材料，其处于所述第四竖直延伸的电极与所述第一竖直延伸的电极的所述侧壁、所述第二竖直延伸的电极的所述侧壁和所述第三竖直延伸的电极的所述侧壁之间以形成：第一电容器，其处于所述第一竖直延伸的电极与第四竖直延伸的电极之间；第二电容器，其处于所述第二竖直延伸的电极与第四竖直延伸的电极之间；和第三电容器，其处于所述第三竖直延伸的电极和第四竖直延伸的电极之间。