[发明专利]包含电容器结构的设备，以及相关存储器装置、电子系统和方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一电极，其竖直延伸穿过隔离材料；

第二电极，其水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间；和

电介质结构，其水平且竖直介于所述第二电极与所述第一电极中的所述两个或更多个第一电极之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极布置成六边形图案。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极中的所述两个或更多个第一电极中的每一个的部分竖直位于所述第二电极下方。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极展现圆柱形状。

5.根据权利要求4所述的设备，其中：

所述第二电极水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的三个第一电极之间；且

所述电介质结构水平且竖直介于所述第二电极与所述第一电极中的所述三个第一电极中的每一个之间。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二电极的横向中心与所述第一电极中的所述三个第一电极中的每一个的横向距离相等。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极展现圆柱形状且所述第二电极展现矩形棱柱形状。

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述第二电极水平介于所述第一电极的两个横向相邻行之间；且

所述电介质结构水平且竖直介于所述第二电极与所述第一电极的所述两个横向相邻行中的每一个的每一第一电极之间。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二电极的横向中心与所述第一电极的所述两个横向相邻行中的每一个的横向距离相等。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述电介质结构包括具有至少一个与底面成一体的侧壁的容器形结构，所述电介质结构大体覆盖所述第二电极的侧表面和下表面。

11.一种形成设备的方法，其包括：

形成竖直延伸穿过隔离材料的第一电极；

移除所述第一电极和所述隔离材料的部分以形成各自单独地水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间的开口；

在所述开口内部和外部的所述第一电极和所述隔离材料的表面上方形成电介质材料；和

在所述电介质材料上方形成导电材料以填充所述开口的剩余部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成竖直延伸穿过隔离材料的第一电极包括使所述第一电极中的每一个形成为具有圆柱形状并且完全竖直延伸穿过所述隔离材料和位于所述隔离材料之下的电介质材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中形成竖直延伸穿过隔离材料的第一电极包括形成六边形图案的所述第一电极。

14.根据权利要求11所述的方法，其中移除所述第一电极和所述隔离材料的部分以形成各自单独地水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间的开口包括使所述开口形成为各自单独地竖直位于所述第一电极中的彼此横向相邻的所述两个或更多个第一电极的下部部分上方。

15.根据权利要求11所述的方法，其中移除所述第一电极和所述隔离材料的部分以形成各自单独地水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的两个或更多个第一电极之间的开口包括使所述开口形成为各自展现圆柱形状并且各自单独地水平介于所述第一电极中的彼此横向相邻的三个第一电极之间。