[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一衬垫，设置在该基板上，其中该第一衬垫包括一第一导电组、一第二导电组设置在该第一导电组上、及一导电保护层设置在该第二导电组上，该第一导电组与该第二导电组重叠，且该导电保护层包含氧化物层；

一绝缘层, 设置在该第二导电组上，其中该绝缘层具有一开口暴露出一部分的该第二导电组，该导电保护层覆盖位于该开口中的该第二导电组的该部分且延伸覆盖一部分的该绝缘层；

另一绝缘层，设置在该第二导电组及该第一导电组之间，其中该另一绝缘层具有一另一开口暴露出一部分的该第一导电组，该第二导电组覆盖位于该另一开口中的该第一导电组且延伸覆盖一部分的该另一绝缘层;

一第二衬垫，与该第一衬垫相对设置；以及

一导电粒子设置在该第一衬垫和该第二衬垫之间；

其中该第一衬垫具有一凹陷，并且该导电粒子的一部分对应该凹陷，并且在俯视该电子装置的方向上，该另一开口的面积大于该开口的面积。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一衬垫与该导电粒子重叠的部分的最大厚度大于该第一衬垫未与该导电粒子重叠的部分的最小厚度。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该凹陷在一方向上的一第一宽度小于或等于该导电粒子在该方向上的一第二宽度。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第一宽度的范围为1.5微米到3.5微米。

5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第二宽度的范围为2微米到6微米。

6.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第一宽度对该第二宽度的比值的范围为0.25到1。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该凹陷的深度的范围为0.1微米到2.2微米。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该导电粒子包括一核心和围绕该核心的一外壳，且该外壳具有不平整的表面。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一导电组电性连接该第二导电组。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该第一导电组和该第二导电组分别包括一钛层、一钼层、一铝层、一钼/铝/钼结构、一钛/铝/钛结构、一钼/铝/钛结构或一钛/铝/钼结构。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一衬垫包括至少一金属层设置在该导电保护层下。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，该导电保护层与该至少一金属层电性连接。

13.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一衬垫的顶表面粗糙度的范围为0.01微米到 0.3微米。

14.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括绝缘层设置在该基板和该第一衬垫之间。

15.根据权利要求14所述的电子装置，其特征在于，该绝缘层包括一多层结构，该多层结构包括多个子绝缘层，且该多个子绝缘层中的至少一个和该多个子绝缘层中的另一个具有不同的厚度。

16.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一集成电路芯片设置在该第二衬垫上并电性连接该第二衬垫。