[发明专利]微型器件的制作方法和显示背板的制作方法

说明书

本发明提出一种微型器件的制作方法和显示背板的制作方法，涉及微型发光二极管领域，微型器件的制作方法包括：S1：透明基板刻蚀形成具有多个阵列排布的高台和沟槽的衬底，高台和沟槽交错分布在衬底上；S2：在高台和沟槽上依次形成缓冲层、外延层和金属层，外延层和金属层在高台上构成第一LED，外延层和金属层在沟槽上构成第二LED；S3：激光分两次照射衬底背面，对位于高台和沟槽的衬底上的缓冲层分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层的暂态基板转移走高台和沟槽上带有缓冲层的LED；S4：刻蚀除去缓冲层，外延层和金属层形成微型器件；S5：解粘暂态基板上的粘附层，分离微型器件和暂态基板。

技术领域

本发明属于微型发光二极管领域，具体涉及微型器件的制作方法和显示背板的制作方法。

技术背景

垂直型结构Micro LED的制作方法通常是在生长衬底上直接进行外延生长形成外延层，经过临时键合并完成激光剥离，使外延结构与生长衬底分离，然后进行分割形成单颗Micro LED，最终Micro LED经过转移到驱动电路上形成显示面板或照明器件。目前的问题是由于外延层本身的翘曲，导致激光剥离后因为应力的释放会产生外延层的断裂。因此由于激光剥离的方法难度较高且良率较低，目前急需解决外延应力释放导致的断裂问题。

现有技术中有使用干法刻蚀来形成Micro LED的分割，但是在实际刻蚀工艺中侧壁的粗糙度的控制等工艺难度大，会产生LED漏电的问题，且有的外延层直接生长在牺牲层上方，因为晶格匹配等原因，牺牲层上面的外延无法正常使用，只能随着牺牲层一起剥除，被剥除的外延造成了一定的浪费，会很大程度降低外延层的利用率。

发明内容

本发明提供一种微型器件的制作方法和显示背板的制作方法，本发明通过预先设置图形化的衬底控制外延生长的图形化，使外延直接形成分离的结构，在激光剥离外延的过程中减小或避免了外延应力的集中。

本发明的技术方案如下：

本发明公开了一种微型器件的制作方法，包括以下步骤：

S1：透明基板刻蚀形成具有多个阵列排布的高台和沟槽的衬底，高台和沟槽交错分布在衬底上；

S2：在高台和沟槽上依次形成缓冲层、外延层和金属层，外延层和金属层在高台上构成第一LED，外延层和金属层在沟槽上构成第二LED；

S3：激光分两次照射衬底背面，对位于高台和沟槽的衬底上的缓冲层分别进行剥离，剥离后分别用两个底部具有粘附层的暂态基板转移走高台和沟槽上带有缓冲层的LED；

S4：刻蚀除去缓冲层，外延层和金属层形成微型器件；

S5：解粘暂态基板上的粘附层，分离微型器件和暂态基板。

优选地，所述沟槽的深度大于缓冲层、外延层及金属层的叠加厚度。

优选地，所述高台和沟槽横截面相同。

优选地，所述暂态基板上的粘附层的厚度大于沟槽和第二LED的高度差。

优选地，所述步骤S2包括以下步骤：

S21：衬底上形成缓冲层，包括位于高台上的第一缓冲层和位于沟槽上的第二缓冲层；

S22：采用分子束外延法在缓冲层上形成外延层，包括位于第一缓冲层上的第一外延层和位于第二缓冲层上的第二外延层；

S23：外延层上形成金属层，包括位于第一外延层上的第一金属层和位于第二外延层上的第二金属层，所述第一外延层和第一金属层组成第一LED，所述第二外延层和第二金属层组成第二LED。

优选地，所述步骤S3包括以下步骤：

S31：衬底背面形成图案与沟槽相重叠的阻挡层；