[发明专利]修复闪存的控制电路及修复闪存的方法

说明书

本发明提供一种修复闪存的控制电路及修复闪存的方法。所述修复闪存的控制电路包括分别用于接收并处理偶数行冗余子块的选择信号、奇数行冗余子块的选择信号和损坏的存储子块的行方向次低位地址信号后分别输出第一逻辑信号和第二逻辑信号的第一逻辑模块和第二逻辑模块，第三逻辑模块接收并处理第一逻辑信号和第二逻辑信号后输出内外侧交换控制信号，内外侧交换控制信号与计划施加在损坏存储子块上的高压控制信号进行异或运算得到施加在替换冗余子块上的位线高压控制信号。所述修复闪存的控制电路可使奇数行冗余子块和偶数行冗余子块均能够替换损坏的存储子块，提高了冗余子块的利用率。本发明还提供一种修复闪存的方法。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，特别是涉及一种修复闪存的控制电路及修复闪存的方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，是一种非易失性(Non-Volatile)存储器。闪存在电擦除和重复编程时不需要特殊的高电压，并具有制作成本低、存储密度大等特点，使其成为非易失性半导体存储技术的主流。其中，双分离栅闪存(NORD Cell)因传输效率高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，是市场上主要的非易失性存储器之一。

图1为一种双分离栅闪存的存储阵列平面示意图。如图1中点划线的方框所示，A7＝0为偶数存储子块(sector)，其包括四个存储位A、B、C、D，A7＝1为奇数存储子块，其包括四个存储位A'、B'、C'、D'，而存储位A、B、C、D、A'、B'、C'、D'为存储阵列的一重复单元，所述重复单元对应连接三条位线BL00、BL10、BL20，以及两条控制栅线CG0和CG1，其中，存储位A和B'连接位线BL00，存储位B、D、A'和C'连接位线BL10，存储位C和D'连接位线BL20。可见，同一重复单元对应的偶数存储子块和奇数存储子块中两条控制栅线(CG0和CG1)所连接的存储位所对应的位线选择不同，因而在进行存储控制时偶数存储子块和奇数存储子块在各条位线上所需施加的电平不同，需要区分处理。

以一存储阵列的存储位A、B、A'和B'为例，若要对存储位A和B'进行存储操作时，需对BL00施加较低电压(如0V)，BL10施加较高电压(如0.8V)，BL20施加较高电压(如0.8V)；而若要对存储位B和A'进行存储操作时，需对BL00施加较高电压(如0.8V)，BL10施加较低电压(如0V)，BL20施加较低电压(如0V)。可见，对A7＝0对应的偶数存储子块(A和B)进行存储操作时在三条位线上施加的电平和对A7＝1对应的奇数存储子块(A'和B')进行存储操作时在三条位线上施加的电平是相反的。

常规电路操作中，当存储子块损坏时需要利用设置于存储阵列上其它区域的冗余子块进行替换。冗余子块的排布方式与上述偶数存储子块和奇数存储子块基本一致。根据上面的分析可知，利用上述结构的存储阵列，当偶数存储子块损坏时，只能使用偶数行冗余子块(RDN为0，2，4，...)进行替代修复，而当奇数存储子块损坏时，只能使用奇数行冗余子块(RDN为1，3，5，...)进行替代修复，即在修复闪存的损坏存储子块时，冗余子块的使用受到了对应位线选择的限制，影响了冗余子块的利用率。

发明内容

本发明提供一种修复闪存的控制电路，以解决利用冗余子块替换修复闪存损坏的存储子块时，冗余子块的使用受到限制，影响冗余子块利用率的问题。本发明还提供一种修复闪存的方法。

为了解决上述问题，本发明一方面提供一种修复闪存的控制电路，用于在存储子块损坏时向替换的冗余子块提供位线高压控制信号，所述存储子块包括奇数行存储子块和偶数行存储子块，一组相邻的奇数行存储子块和偶数行存储子块的内侧存储位连接同一条位线而外侧存储位分两列连接两条位线，各条所述位线受所述位线高压控制信号控制，所述冗余子块包括奇数行冗余子块和偶数行冗余子块，所述控制电路包括：

第一逻辑模块，所述第一逻辑模块的输入端连接若干所述偶数行冗余子块的选择信号和损坏的存储子块的行方向次低位地址信号，通过逻辑运算输出第一逻辑信号；