[发明专利]修复闪存的控制电路及修复闪存的方法

权利要求书

1.一种修复闪存的控制电路，用于在存储子块损坏时向替换的冗余子块提供位线高压控制信号，其特征在于，所述存储子块包括奇数行存储子块和偶数行存储子块，一组相邻的奇数行存储子块和偶数行存储子块的内侧存储位连接同一条位线而外侧存储位分两列连接两条位线，各条所述位线受所述位线高压控制信号控制，所述冗余子块包括奇数行冗余子块和偶数行冗余子块，所述控制电路包括：

第一逻辑模块，所述第一逻辑模块的输入端连接若干所述偶数行冗余子块的选择信号和损坏的存储子块的行方向次低位地址信号，通过逻辑运算输出第一逻辑信号；所述第一逻辑模块包括第一或非门、第二或非门和第一非门，所述偶数行冗余子块的选择信号从所述第一或非门的输入端口输入，所述第一或非门的输出端口与所述第二或非门的一输入端口连接，所述损坏的存储子块的行方向次低位地址信号从所述第一非门的输入端口输入，所述第一非门的输出端口与所述第二或非门的另一输入端口连接，所述第二或非门的输出端口与第三逻辑模块的一输入端口连接，所述第二或非门与所述第三逻辑模块连接的输出端口输出的是所述第一逻辑信号；

第二逻辑模块，所述第二逻辑模块的输入端连接若干所述奇数行冗余子块的选择信号和所述损坏的存储子块的行方向次低位地址信号，通过逻辑运算输出第二逻辑信号；

第三逻辑模块，所述第三逻辑模块的两个输入端分别连接所述第一逻辑模块的输出端和所述第二逻辑模块的输出端，所述第三逻辑模块用于对所述第一逻辑信号和所述第二逻辑信号进行逻辑运算并输出内外侧交换控制信号，所述内外侧交换控制信号用来与计划施加在损坏的存储子块上的高压控制信号进行异或运算而得到施加在所选择的冗余子块上的位线高压控制信号，使得奇数行冗余子块和偶数行冗余子块均能够替换损坏的存储子块。

2.如权利要求1所述的修复闪存的控制电路，其特征在于，若损坏的存储子块为奇数行存储子块，所述行方向次低位地址信号为高电平，当选择奇数行冗余子块进行替换时，所述偶数行冗余子块的选择信号为低电平，所述奇数行冗余子块的选择信号为高电平，所述第一逻辑信号为低电平，所述第二逻辑信号为低电平，所述内外侧交换控制信号为低电平，施加在所选择的奇数行冗余子块上的位线高压控制信号的电平与计划施加在损坏的存储子块上的高压控制信号的电平相同。

3.如权利要求1所述的修复闪存的控制电路，其特征在于，若损坏的存储子块为奇数行存储子块，所述行方向次低位地址信号为高电平，当选择偶数行冗余子块进行替换时，所述偶数行冗余子块的选择信号为高电平，所述奇数行冗余子块的选择信号为低电平，所述第一逻辑信号为高电平，所述第二逻辑信号为低电平，所述内外侧交换控制信号为高电平，施加在所选择的偶数行冗余子块上的位线高压控制信号的电平与计划施加在损坏的存储子块上的高压控制信号的电平相反。

4.如权利要求1所述的修复闪存的控制电路，其特征在于，若损坏的存储子块为偶数行存储子块，所述行方向次低位地址信号为低电平，当选择奇数行冗余子块进行替换时，所述偶数行冗余子块的选择信号为低电平，所述奇数行冗余子块的选择信号为高电平，所述第一逻辑信号为低电平，所述第二逻辑信号为高电平，所述内外侧交换控制信号为高电平，施加在所选择的奇数行冗余子块上的位线高压控制信号的电平与计划施加在损坏的存储子块上的高压控制信号的电平相反。

5.如权利要求1所述的修复闪存的控制电路，其特征在于，若损坏的存储子块为偶数行存储子块，所述行方向次低位地址信号为低电平，当选择偶数行冗余子块进行替换时，所述偶数行冗余子块的选择信号为高电平，所述奇数行冗余子块的选择信号为低电平，所述第一逻辑信号为低电平，所述第二逻辑信号为低电平，所述内外侧交换控制信号为低电平，施加在所选择的偶数行冗余子块上的位线高压控制信号的电平与计划施加在损坏的存储子块上的高压控制信号的电平相同。