[发明专利]一种低功耗低电压温度传感电路

说明书

一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管和第五PMOS管的栅极和源极接电源，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管漏极，第二PMOS管的源极接第一PMOS管漏极，栅极和漏极接第三PMOS管源极；第三PMOS管的源极接第二PMOS管漏极，栅极和漏极接第四PMOS管源极；第四PMOS管的源极接第三PMOS管漏极，栅极和漏极接第六PMOS管的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管的源极和栅极，正端与第五PMOS管的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管的漏极接地。本发明芯片面积小，功耗低，能够满足各种低功耗电子产品的使用要求。

技术领域

本发明涉及一种适用于低功耗电子产品的低功耗低电源电压温度传感电路，属于半导体器件技术领域。

背景技术

温度传感器广泛地应用于各种电子系统当中。对于应用于低功耗物联网系统中的温度传感电路，通常要求尽可能地降低其功耗来保证系统的整体功耗，同时要求其电路结构尽可能简单以减小物联网芯片的面积。由于绝大多数传统温度传感电路使用了热电阻和启动电路，使得其功耗较高、芯片面积以及所需电源电压加大，限制了温度传感电路在低功耗电子产品中的应用。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术之弊端，提供一种低功耗低电压温度传感电路，以满足低功耗电子产品的使用要求。

本发明所述问题是以下述技术方案解决的：

一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管M1和第五PMOS管M5的栅极和源极短接后接电源正极，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管M1的漏极，第二PMOS管M2的源极接第一PMOS管M1的漏极，栅极和漏极短接后接第三PMOS管M3的源极；第三PMOS管M3的源极接第二PMOS管M2的漏极，栅极和漏极短接后接第四PMOS管M4的源极；第四PMOS管M4的源极接第三PMOS管M3的漏极，栅极和漏极短接后接第六PMOS管M6的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管M6的源极和栅极，正端与第五PMOS管M5的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管M6的漏极接地。

上述低功耗低电压温度传感电路，所述第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5和第六PMOS管M6的衬底都与各自的源极相连。

上述低功耗低电压温度传感电路，所述第一PMOS管M1和第六PMOS管M6的宽长比和尺寸均相同，第一PMOS管M1与第五PMOS管M5的宽长比之比为2/1。

上述低功耗低电压温度传感电路，所述第二PMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的宽长比和尺寸均相同。

上述低功耗低电压温度传感电路，所述第一二极管串联电路包括三个二极管，第一二极管D1的正端接第一PMOS管M1的漏极，负端接第二二极管D2正端，第三二极管D3的负端接地，正端接第二二极管D2负端。

上述低功耗低电压温度传感电路，所述第二二极管串联电路包括第四二极管D4和第五二极管D5，第四二极管D4的正端接第五PMOS管M5的漏极，第五二极管D5的正端接第四二极管D4的负端，负端接第六PMOS管M6的源极和栅极。

本发明由栅源短接的PMOS晶体管提供皮安级大小的偏置电流，同传统温度传感电路相比，该电路省去了启动电路和电阻元件，电路结构更加简单，不仅芯片面积小，整体功耗极低，而且可在较低的电源电压下工作，并获得较高的灵敏度，能够满足各种低功耗电子产品的使用要求。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步详述。

图1为本发明的电原理图；

图2为本发明的输出电压温度特性曲线图；