[发明专利]一种低功耗低电压温度传感电路在审
| 申请号： | 202010300303.0 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111380622A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张立强;徐建民;狄建兴;李国峰;胡锦龙;张勇;崔立志;郝建军;郑玉南;李永斌;杨铁生;宋学忠;齐敬伟;周志勇 | 申请（专利权）人： | 唐山国芯晶源电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人： | 汤志强 |
| 地址： | 064100 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 电压 温度 传感 电路 | ||
1.一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管(M1)和第五PMOS管(M5)的栅极和源极短接后接电源正极，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管(M1)的漏极，第二PMOS管(M2)的源极接第一PMOS管(M1)的漏极，栅极和漏极短接后接第三PMOS管(M3)的源极；第三PMOS管(M3)的源极接第二PMOS管(M2)的漏极，栅极和漏极短接后接第四PMOS管(M4)的源极；第四PMOS管(M4)的源极接第三PMOS管(M3)的漏极，栅极和漏极短接后接第六PMOS管(M6)的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管(M6)的源极和栅极，正端与第五PMOS管(M5)的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管(M6)的漏极接地。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，所述第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)、第五PMOS管(M5)和第六PMOS管(M6)的衬底都与各自的源极相连。
3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，所述第一PMOS管(M1)和第六PMOS管(M6)的宽长比和尺寸均相同，第一PMOS管(M1)与第五PMOS管(M5)的宽长比之比为2/1。
4.根据权利要求3所述的一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，所述第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)和第四PMOS管(M4)的宽长比和尺寸均相同。
5.根据权利要求4所述的一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，所述第一二极管串联电路包括三个二极管，第一二极管(D1)的正端接第一PMOS管(M1)的漏极，负端接第二二极管(D2)正端，第三二极管(D3)的负端接地，正端接第二二极管(D2)负端。
6.根据权利要求5所述的一种低功耗低电压温度传感电路，其特征是，所述第二二极管串联电路包括第四二极管(D4)和第五二极管(D5)，第四二极管(D4)的正端接第五PMOS管(M5)的漏极，第五二极管(D5)的正端接第四二极管(D4)的负端，负端接第六PMOS管(M6)的源极和栅极。
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