[发明专利]一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺

说明书

本发明公开了一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，属于晶圆加工领域。一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，包括以下步骤：将所述晶圆与玻璃载板键合在一起，且两者之间形成键合层；涂布光阻层，并进行黄光工艺；使用腐蚀气体对所述晶圆进行干蚀刻，形成切割道；使用氧电浆去除所述光阻层。与现有技术相比，本申请的电浆切割工艺能够切割得到较细的切割道，并且工艺过程中，不产生焦化物。

技术领域

本发明涉及晶圆加工领域，具体涉及一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺。

背景技术

随着半导体技术的不断普及，对超薄晶圆的加工工艺要求越来越高。超薄晶圆，一般厚度为20～250微米，用于半导体器件。在目前的晶圆切割工艺中，先将晶圆搭载在玻璃载板上，进行晶圆薄化以及背面加工工艺，而后从玻璃载板上取下晶圆，使用钻石刀(diamondsaw)、镭射或电浆进行晶粒切割。

但是在超薄晶圆加工中，传统钻石刀切割宽度过大，通常为50～70微米，切割过程中容易产生切割碎粒，并且容易导致受切割的晶圆发生崩裂。而使用镭射切割工艺时，虽然可以将切割道控制在10～20微米，但是由于镭射属于热能切割，会在晶圆上遗留焦化的残留物，也无法应用于具有金属层的切割道，例如MOSFET背金属层。

另外，现有的晶圆切割中，通常放置在模框上进行切割操作，但在模框上无法对超薄晶圆进行切割。因此现有超薄晶圆加工工艺中，大都单独对晶圆进行切割，容易导致薄化的晶圆的崩裂。并且在完成晶圆切割后，不便于后续工艺进行，也不便于传送与运输。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出了一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，解决现有技术中切割中产生易碎粒、易崩裂与存在焦化物残留的技术问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，包括以下步骤：

将所述晶圆与玻璃载板键合在一起，且两者之间形成键合层；

涂布光阻层，并进行黄光工艺；

使用腐蚀气体对所述晶圆进行干蚀刻，形成切割道；

使用氧电浆去除所述光阻层，同时进一步腐蚀切割道，形成凹槽。

进一步地，所述切割道的宽度大于等于10微米。

进一步地，所述切割道与键合层之间的晶圆厚度至少为20微米。

进一步地，使用清洁液冲洗晶圆上残留的所述氧电浆。

进一步地，所述清洁液中含有臭氧。

进一步地，所述腐蚀气体包括四氟化碳、六氟化硫或六氟-1,3-丁二烯。

进一步地，在使用所述氧电浆切割后，进行金属沉积工艺。

进一步地，所述键合层厚度为20～100微米。

进一步地，所述切割道的深度小于所述晶圆的厚度；所述凹槽贯穿所述晶圆，且底部延伸至所述键合层中。

本发明的有益效果：

通过上述切割工艺，通过电浆形成更狭窄的切割道，并且可避免刚性接触造成的晶圆崩裂，也不会产生高温导致的焦化物，显著提高了晶粒切割质量。在玻璃载板上进行电浆切割时，操作更加稳定。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1为本申请的涂布光阻层后的玻璃载板与晶圆的结构示意图；

图2为本申请的干蚀刻后的玻璃载板与晶圆的结构示意图；

图3为本申请的使用氧电浆切割后的玻璃载板与晶圆的结构示意图。