[发明专利]一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺在审
| 申请号： | 202010300164.1 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111524805A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 晶圆电浆 切割 工艺 | ||
1.一种键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将所述晶圆与玻璃载板键合在一起，且两者之间形成键合层；
涂布光阻层，并进行黄光工艺；
使用腐蚀气体对所述晶圆进行干蚀刻，形成切割道；
使用氧电浆去除所述光阻层，同时进一步腐蚀切割道，形成凹槽。
2.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述切割道的宽度大于等于10微米。
3.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述切割道与键合层之间的晶圆厚度至少为20微米。
4.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，使用清洁液冲洗晶圆上残留的所述氧电浆。
5.根据权利要求3所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述清洁液中含有臭氧。
6.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述腐蚀气体包括四氟化碳、六氟化硫或六氟-1,3-丁二烯。
7.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，在使用所述氧电浆切割后，进行金属沉积工艺。
8.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述键合层厚度为20～100微米。
9.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述切割道的深度小于所述晶圆的厚度；所述凹槽贯穿所述晶圆，且底部延伸至所述键合层中。
10.根据权利要求1所述的键合玻璃载板的晶圆电浆切割工艺，其特征在于，所述光阻层的厚度至少为10微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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