[发明专利]SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法及单粒子翻转纠错电路有效
| 申请号: | 202010298915.0 | 申请日: | 2020-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN111459712B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 刘小成 | 申请(专利权)人: | 上海安路信息科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C11/413;G11C29/42 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 200434 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sram fpga 粒子 翻转 纠错 方法 电路 | ||
1.一种SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述方法包括:
S1:启动单粒子翻转纠错电路;
S2:获取配置帧地址;
S3:根据所述配置帧地址从配置存储单元中读取配置数据帧;
S4:对所述配置数据帧进行错误校验和定位;若未发现错误数据位,则执行S5;若发现单个错误数据位,则将所述配置数据帧纠错后写回至所述配置存储单元;
S5:判断所述配置帧地址是否为最大帧地址;若是最大帧地址,则执行S2;若不是最大帧地址,则执行S6;
S6:产生下一个配置帧地址,并执行S2。
2.根据权利要求1所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述S4包括:对所述配置数据帧进行错误校验和定位;若未发现错误数据位,则执行S5;若发现单个错误数据位,则执行S7;
所述方法还包括:
S7:判断是否需要对所述配置数据帧进行重新校验;若需要重新校验,则执行S8;若不需要重新校验,则执行S9;
S8:根据所述配置帧地址回读所述配置数据帧,并对所述配置数据帧进行错误校验和定位;若未发现错误数据位,则执行S5;若发现单个错误数据位,则执行S9;
S9:将所述配置数据帧纠错后写回至所述配置存储单元。
3.根据权利要求2所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,重复执行S8至S9,实现对所述配置数据帧的多次校验。
4.根据权利要求1所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述配置数据帧包括n位数据位和m位校验位,所述m位校验位对所述配置数据帧中的n位数据位和m位校验位进行错误校验和定位;其中n、m是正整数。
5.根据权利要求4所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述对所述配置数据帧进行错误校验和定位,包括:按照每次k个数据位以流水线的方式对所述配置数据帧进行错误校验和定位;其中k是正整数,且k能够被n整除;
所述将所述配置数据帧纠错后写回至所述配置存储单元,包括:将所述配置数据帧纠错后按照每次k个数据位以流水线的方式写回至所述配置存储单元。
6.根据权利要求4所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述配置数据帧中的n位数据位和m位校验位都是二进制数据位。
7.根据权利要求6所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法,其特征在于,所述将所述配置数据帧纠错后写回至所述配置存储单元,包括:将所述配置数据帧中定位的错误数据位二进制取反后写回至所述配置存储单元。
8.一种单粒子翻转纠错电路,其特征在于,所述单粒子翻转纠错电路包括配置存储单元、读写控制器、帧地址生成器、错误定位器、纠错电路、纠错状态控制器,所述纠错状态控制器执行:
S1:启动所述单粒子翻转纠错电路;
S2:获取所述帧地址生成器输出的配置帧地址;
S3:根据所述配置帧地址从所述配置存储单元中读取配置数据帧;
S4:通过所述错误定位器对所述配置数据帧进行错误校验和定位;若未发现错误数据位,则执行S5;若发现单个错误数据位,则通过所述纠错电路对所述配置数据帧进行纠错,通过所述读写控制器将纠错后的配置数据帧写回至所述配置存储单元;
S5:判断所述帧地址生成器输出的配置帧地址是否为最大帧地址;若是最大帧地址,则执行S2;若不是最大帧地址,则执行S6;
S6:驱动所述帧地址生成器产生下一个配置帧地址,并执行S2。
9.一种电子设备,其特征在于,包括处理器和存储器,所述处理器执行所述存储器存储的计算机指令,使得所述电子设备执行权利要求1至7任一项所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法。
10.一种计算机存储介质,其特征在于,包括计算机指令,当所述计算机指令在电子设备上运行时,使得所述电子设备执行权利要求1至7任一项所述的SRAM型FPGA单粒子翻转纠错方法。
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