[发明专利]加工装置和被加工物的加工方法在审
申请号: | 202010294889.4 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN111834254A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 增田幸容;小田中健太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/78;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 装置 方法 | ||
提供加工装置和被加工物的加工方法,能够观察卡盘工作台所保持的被加工物的下表面侧且能够实现装置的尺寸的缩小化。该加工装置具有:卡盘工作台,其利用保持面对被加工物进行保持;加工单元,其对卡盘工作台所保持的被加工物进行加工;移动机构,其使卡盘工作台和加工单元沿着与卡盘工作台的保持面平行的方向相对地移动;角度控制机构,其设置于移动机构上且设置于卡盘工作台的下侧,对卡盘工作台的角度进行控制;以及拍摄单元,其对卡盘工作台所保持的被加工物进行拍摄,卡盘工作台包含:保持部件,其由透明体构成,对被加工物进行保持;以及支承部件,其与角度控制机构连接,对保持部件的一部分进行支承。
技术领域
本发明涉及对被加工物进行加工的加工装置和使用该加工装置的被加工物的加工方法。
背景技术
在器件芯片的制造工序中,使用在由分割预定线(间隔道)划分的多个区域内分别形成有IC(Integrated Circuit,集成电路)、LSI(Large Scale Integration,大规模集成)等器件的晶片。通过将该晶片沿着分割预定线分割,得到分别具有器件的多个器件芯片。
在晶片的分割中例如使用切削装置,该切削装置具有:卡盘工作台,其对晶片进行保持;以及加工单元(切削单元),其安装有对卡盘工作台所保持的晶片进行切削的圆环状的切削刀具。使切削刀具旋转而切入至晶片,从而将晶片分割成多个器件芯片。
另外,近年来,也采用使用激光加工装置对晶片进行分割的方法。激光加工装置具有:卡盘工作台,其对晶片进行保持;以及加工单元(激光照射单元),其朝向卡盘工作台所保持的晶片照射激光束而对晶片进行加工。
例如提出了如下的方法:使对于晶片具有透过性的激光束会聚至晶片的内部,在晶片的内部沿着分割预定线形成被改质的区域(改质层)。形成有该改质层的区域比晶片的其他区域脆。因此,当对形成有改质层的晶片赋予外力时,以改质层为起点而将晶片沿着分割预定线分割。
在利用以上述的切削装置或激光加工装置为代表的加工装置对晶片进行加工时,在将晶片配置于卡盘工作台的保持面上之后,通过相机等拍摄单元对形成有器件的晶片的正面侧进行拍摄,从而检测晶片的要加工的区域(被加工区域)的位置。并且,根据所检测的被加工区域的位置,实施调节晶片和加工单元的位置关系的对准。
另外,根据加工的内容,有时在晶片的正面侧与卡盘工作台的保持面对置、晶片的背面侧向上方露出的状态下实施加工。在该情况下,晶片的正面侧(下表面侧)被卡盘工作台的保持面覆盖,因此难以通过拍摄单元拍摄晶片的正面侧。其结果是,无法根据形成于晶片的正面侧的器件的位置等而检测被加工区域。
因此,提出了即使在形成有器件的晶片的正面侧被卡盘工作台的保持面覆盖的状态下也能够观察晶片的正面侧的加工装置。例如在专利文献1中公开了具有照射透过晶片的红外线的红外线灯的切削装置。在该切削装置中,从红外线灯对晶片的背面侧照射的红外线透过晶片而到达晶片的正面侧。并且,对在晶片的正面侧反射的红外线进行检测而观察晶片的正面侧的图案。
另外,在专利文献2和专利文献3中公开了一种激光加工装置,其具有作为透明的部件的卡盘工作台和配置于卡盘工作台的下侧的拍摄单元。在该激光加工装置中,在晶片的正面侧被卡盘工作台的保持面覆盖的情况下,也能够从晶片的下侧隔着透明的卡盘工作台而拍摄晶片的正面侧。
专利文献1:日本特开平6-232255号公报
专利文献2:日本特开2010-82644号公报
专利文献3:日本特开2010-87141号公报
当使用上述的具有红外线灯的切削装置时,即使在晶片的正面侧被卡盘工作台的保持面覆盖的情况下,也能够对晶片的正面侧(下表面侧)进行拍摄,并根据形成于晶片的正面侧的器件的位置等而检测被加工区域。但是,例如在晶片的背面侧或内部形成有不透过红外线的层(金属层等)的情况下,会阻碍晶片的正面侧的拍摄。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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