[发明专利]串行总线上的数据编码在审
申请号: | 202010281520.X | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN111813730A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | F·塔耶特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | G06F13/42 | 分类号: | G06F13/42 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郭星 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串行 线上 数据 编码 | ||
1.一种用于对要在SPI串行总线上传输的数据值进行编码的方法,包括:
至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要传输的所述数据值来修改存储器的状态寄存器。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器是可重新编程的非易失性存储器。
3.根据权利要求1所述的方法,其中修改所述状态寄存器包括在写入模式下执行所述存储器的锁存位的状态反转。
4.根据权利要求1所述的方法,其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的写入周期期间被执行。
5.根据权利要求4所述的方法,其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的所述写入周期期间仅被执行一次,要传输的所述数据值形成位。
6.根据权利要求4所述的方法,其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的所述写入周期期间被执行多次,要传输的所述数据值形成具有至少两个位的字。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在所述存储器中的所述写入周期期间,执行的所述状态寄存器的修改的次数与所述字的连续地传输的位之间的状态转换的次数有关。
8.根据权利要求1所述的方法,其中要发送的所述数据值表示所述存储器的磨损情况。
9.根据权利要求1所述的方法,其中要传输的所述数据值反映在所述存储器内进行的纠错的次数。
10.根据权利要求1所述的方法,包括以下步骤:
开始在所述存储器中写入;
周期性地发送所述存储器的所述状态寄存器;
在所述给定时刻修改所述存储器的所述状态寄存器,以对全部或部分要传输的所述数据值进行编码;以及
停止在所述存储器中写入。
11.一种电子电路,包括:
SPI串行总线;
存储器,具有状态寄存器;以及
电路,被配置为通过至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要在所述SPI串行总线上传输的数据值修改存储器的状态寄存器,来对要传输的所述数据值进行编码。
12.根据权利要求11所述的电子电路,其中所述存储器是可重新编程的非易失性存储器。
13.根据权利要求11所述的电子电路,其中所述电路通过在写入模式下执行所述存储器的锁存位的状态反转来修改所述状态寄存器。
14.根据权利要求11所述的电子电路,其中所述电路在所述存储器中的写入周期期间修改所述状态寄存器。
15.根据权利要求14所述的电子电路,其中所述状态寄存器的所述修改在所述存储器中的所述写入周期期间仅被执行一次,要传输的所述数据值形成位。
16.根据权利要求14所述的电子电路,其中所述状态寄存器的所述修改在所述存储器中的所述写入周期期间被执行多次,要传输的所述数据值形成具有至少两个位的字。
17.根据权利要求16所述的电子电路,其中在所述存储器中的所述写入周期期间执行的所述状态寄存器的修改的次数与所述字的连续地传输的位之间的状态转换的次数有关。
18.根据权利要求11所述的电子电路,其中要传输的所述数据值表示所述存储器的磨损情况。
19.根据权利要求11所述的电子电路,其中要传输的所述数据值反映在所述存储器内进行的纠错的次数。
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