[发明专利]一种磁化制备SEI膜的方法有效
| 申请号： | 202010279822.3 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111477967B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 唐谊平;沈康;侯广亚 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M10/44;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁化 制备 sei 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁化制备SEI膜的方法，其特征在于，
所述制备方法包括以下制备步骤：
1）将阴极片、阳极片和隔离膜组装为裸电芯，在裸电芯外包装外壳后注入电解液，静置至阴极片和阳极片均被充分浸润，得到预制电芯；
2）将预制电芯置于化成机中化成，化成时对预制电芯施加磁场，在磁场作用下进行化成处理，化成处理结束后在阳极片表面形成SEI膜；
步骤2）所述磁场的磁场强度20mT～5T；
步骤2）所述化成处理条件为：
化成温度为25～95℃，化成电流为0.01～4.0C，化成截止电位为2.8～5.2V。
2.根据权利要求1所述的一种磁化制备SEI膜的方法，其特征在于，
步骤1）所述组装为裸电芯时，阴极片、阳极片和隔离膜采用叠片组装的方式进行组装。
3.根据权利要求1或2所述的一种磁化制备SEI膜的方法，其特征在于，
步骤1）所述静置至阴极片和阳极片均被充分浸润的时长为10～30min。
4.根据权利要求1所述的一种磁化制备SEI膜的方法，其特征在于，
所述磁场强度为0.3～2.0T。
5.根据权利要求1所述的一种磁化制备SEI膜的方法，其特征在于，
步骤2）所述化成前进行陈化处理；
所述陈化处理参数为：
于25～40℃条件下保温22～24h。
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