[发明专利]一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统有效
| 申请号: | 202010275233.8 | 申请日: | 2020-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN111399345B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
| 发明(设计)人: | 金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 付婧 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 光刻 工艺 气压 控制系统 方法 涂胶 显影 系统 | ||
本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统,该系统包括:外部气压检测装置,用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值,以及用于将外部气压值反馈给控制器;内部气压检测装置,用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值,以及用于将内部气压值反馈给控制器;控制器,用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括:实时外部气压值和内部气压值;利用外部气压值和内部气压值确定压差;根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统,包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压,具有压差调节速度快、可靠性高等优点。
技术领域
本公开涉及光刻技术领域,更为具体来说,本公开为一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统。
背景技术
目前,根据半导体Photo Track设备(即涂胶显影设备)内部环境和外部环境,需要进行压差管理,从而解决例如异常离子(Particle)管理等品质不良问题以及图形缺陷(Loss)等问题。但现有的压差控制方案只能在设备内部压差设置阶段进行,设备工作后只能知道压差是否超过基准,因而只有在缺陷(Defect)发生后才能够根据定义的问题点手动调节压差,这种方式存在较大的局限性。
发明内容
为解决现有压差控制方案存在较大局限性等问题,本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统,能使涂胶显影设备内部各区域保持设备需要的气压和压差。
根据本公开的一个或多个实施例,一种用于光刻工艺的气压控制系统包括:外部气压检测装置,用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值,以及用于将所述外部气压值反馈给控制器;内部气压检测装置,用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值,以及用于将所述内部气压值反馈给控制器;控制器,用于利用得到的所述外部气压值和所述内部气压值确定压差,以及根据所述压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。
根据本公开的一个或多个实施例,一种用于光刻工艺的气压控制方法,包括如下步骤:实时检测光刻设备外部环境的外部气压值和风机过滤单元出口的内部气压值;利用得到的所述外部气压值和所述内部气压值确定压差;根据所述压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。
根据本公开的一个或多个实施例,一种涂胶显影系统,包括本公开一个或多个实施例中的用于光刻工艺的气压控制系统。
本公开的有益效果为:
本公开一个或多个实施例能够有效地解决外部环境变化或内部工况变化导致的压差变化问题,能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压,无需停工检修,具有压差调节速度快、可靠性高等优点。
附图说明
图1示出的是用于光刻工艺的气压控制系统组成的示意图。
图2示出的是用于光刻工艺的气压控制系统实时监测涂胶显影系统的机械手臂和涂胶单元工作环境气压的工作原理示意图。
图3示出的是用于光刻工艺的气压控制系统工作状态示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的,其中为了清楚表达的目的,放大了某些细节,并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的,实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差,并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
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