[发明专利]微半导体堆叠结构及其电子装置

权利要求书

1.一种微半导体堆叠结构，包括：

至少两个层叠结构，其中一个层叠结构叠加于另一层叠结构上；其中：

所述其中一个层叠结构沿所述另一层叠结构的垂直方向叠加；

各个所述层叠结构包括基材、设于所述基材上的导电图层、以及设于所述基材上且与所述导电图层电连接的至少一个微半导体器件；

各个所述层叠结构定义目标区域，各个所述层叠结构的至少一个所述微半导体器件设于所述目标区域内；

两两层叠结构间的所述目标区域沿所述垂直方向彼此对齐；以及在所述至少两个层叠结构中的至少一个层叠结构中，所述导电图层是有源电路。

2.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，更进一步具有至少一个阶部；其中：

沿朝向上层层叠结构或远离下层层叠结构的方向，所述至少一个阶部由所述基材的尺寸依序渐缩所形成。

3.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

两两层叠结构的各个所述导电图层以电连接部件连接。

4.如权利要求2所述的微半导体堆叠结构，其中：

所述至少一个阶部具有电连接部件；两两层叠结构的各个所述导电图层以所述电连接部件连接。

5.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

所述微半导体器件的尺寸范围为1-50um。

6.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

所述层叠结构的所述基材是透明的；或者，最下层层叠结构的所述基材是非透明的。

7.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

最下层层叠结构的导电图层是有源电路，设有TFT或MOS开关。

8.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

各个所述层叠结构的微半导体器件是微发光二极管晶片、微米级光感测晶片、或其组合。

9.如权利要求1所述的微半导体堆叠结构，其中：

两两层叠结构之间通过胶材接合。

10.一种电子装置，包括：

多个如权利要求1所述的微半导体堆叠结构以阵列排列；以及

至少一个外部电控结构，电连接至少一个层叠结构的所述导电图层。