[发明专利]蚀刻设备

说明书

本发明公开了一种蚀刻设备，包括一腔室、供气系统、下部电极、上部电极以及射频电源；其中上部电极包括一上电极以及一固定装置，其中所述固定装置用于将所述被处理基板保持于所述上电极下表面，所述上电极电经配置以用于激励所述蚀刻气体产生蚀刻等离子并诱导所述蚀刻等离子对定位于所述上电极下表面的被处理基板进行蚀刻处理；本发明所述蚀刻设备能实现对保持于所述上电极上的被处理基板并进行蚀刻处理，从而能避免颗粒物或相应的固态产物向下坠落在被处理基板上，造成产品不良。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种蚀刻设备。

背景技术

在半导体显示制造领域，干法刻蚀是一种常见的刻蚀工艺。干法刻蚀是将特定的刻蚀气体通入反应腔室中，通过射频(Radio Frequency，RF)电场产生蚀刻等离子对待刻蚀工件进行刻蚀的一种工艺。

半导体显示领域常见的干法刻蚀主要有四种模式，分别为PE mode、RIE mode、ICPmode以及ECCP mode。图1A-图1D分别为PE mode、RIE mode、ICP mode以及ECCP mode的示意图。

如图1A-图1D所示，在上述干法蚀刻四种常见刻蚀模式中，被处理基板2均放置于在下部电极1上，从而不可避免的会因为颗粒物或相应的固态产物而产生颗粒物坠落在基板上，造成产品不良。

发明内容

本发明的目的在于解决上述问题，提供一种蚀刻设备，所述蚀刻设备通过将上部电极配置射频电源和固定装置，能实现将被处理基板保持于上部电极上，从而能避免使颗粒物或相应的固态产物向下坠落在被处理基板上，造成产品不良。

为解决上述问题，本发明所述蚀刻设备采取了以下技术方案。

本发明提供一种蚀刻设备，用于对一被处理基板进行蚀刻处理的设备，包括：一腔室，收容被处理基板并对所述被处理基板进行蚀刻处理的场所；一供气系统，用于向所述腔室内供给用于执行蚀刻处理的蚀刻气体；一下部电极，设置于所述腔室内；一上部电极，设置于所述腔室内并包括一上电极和一固定装置；其中，所述固定装置用于将所述被处理基板定位于所述上电极的下表面，所述上电极经配置用于将所述蚀刻气体转变为蚀刻等离子并诱导所述蚀刻等离子对所述被处理基板的下表面进行蚀刻处理。

进一步，所述蚀刻设备还包括一射频电源，所述射频电源包括：一源射频电源，与所述上电极连接，用于提供源射频电力至所述上电极；以及，一偏压射频电源，与所述上电极连接，用于提供偏压射频电力至所述偏压电极。

进一步，所述下部电极包括一下电极，所述下电极接地。

进一步，所述上电极包含延伸穿过其厚度的气孔，所述气孔被配置为向所述被处理基板喷射换热气体。

进一步，在所述上电极内部设置有静电吸盘，所述静电吸盘经用于对所述被处理基板进行静电吸附。

进一步，所述上电极还配置有换热通道，所述换热通道与一换热介质源相连通，用于将所述上电极的温度保持在一定范围内。

进一步，所述供气系统包括多个喷气口，所述喷气口位于所述上部电极和所述下部电极之间的所述腔室内，用于所述喷气系统和所述腔室的流体连通。

进一步，所述喷气口沿着所述腔室的内侧壁的周向对称排布。

进一步，所述蚀刻设备还包括一排气系统，所述排气系统经配置与所述腔室流体连接，用于至少将所述腔室内的气体排出。

进一步，所述排气系统的包括分子泵和泵线管路，所述分子泵与所述腔室流体连接，所述泵线管路与所述分子泵相流体连接。

进一步，在所述腔室内还设置有导流板，所述导流板用于将由所述供气系统供给于所述腔室的蚀刻气体均匀分布在上电极的下表面。

本发明所述蚀刻设备具有以下有益效果：