[发明专利]蚀刻设备

权利要求书

1.一种蚀刻设备，用于对一被处理基板进行蚀刻处理的设备，其特征在于，包括：

一腔室，收容被处理基板以对所述被处理基板进行蚀刻处理；

一供气系统，用于向所述腔室内供给用于执行蚀刻处理的蚀刻气体；

一下部电极，设置于所述腔室内；

一上部电极，设置于所述腔室内并包括一上电极和一固定装置；其中，

所述上电极包含延伸穿过其厚度的气孔，所述气孔被配置为向所述被处理基板喷射换热气体,所述上电极的下表面具有一预定粗糙度；所述上电极还配置有换热通道，所述换热通道与一换热介质源相连通，用于将所述上电极的温度保持在一预定范围内；

所述固定装置用于将所述被处理基板定位于所述上电极的下表面，所述上电极经配置用于将所述蚀刻气体转变为蚀刻等离子并诱导所述蚀刻等离子对所述被处理基板的下表面进行蚀刻处理。

2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备还包括一射频电源，所述射频电源包括：

一源射频电源，与所述上电极连接，用于提供源射频电力至所述上电极；以及，

一偏压射频电源，与所述上电极连接，用于提供偏压射频电力至所述上电极。

3.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述下部电极包括一下电极，所述下电极接地。

4.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述上电极内部设置有静电吸盘，所述静电吸盘用于对所述被处理基板进行静电吸附。

5.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述供气系统包括多个喷气口，所述喷气口位于所述上部电极和所述下部电极之间的所述腔室内，用于所述供气系统和所述腔室的流体连通。

6.根据权利要求5所述的蚀刻设备，其特征在于，所述喷气口沿着所述腔室的内侧壁的周向对称排布。

7.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备还包括一排气系统，所述排气系统经配置与所述腔室流体连接，用于至少将所述腔室内的气体排出。

8.根据权利要求7所述的蚀刻设备，其特征在于，所述排气系统的包括分子泵和泵线管路，所述分子泵与所述腔室流体连接，所述泵线管路与所述分子泵相流体连接。

9.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述腔室内还设置有导流板，所述导流板用于将由所述供气系统供给于所述腔室的蚀刻气体均匀分布在上电极的下表面。