[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

说明书

本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，在衬底上形成第一多晶硅层和介电层以后，在沉积第二多晶硅层以前，对沉积设备的沉积室先后进行衬底低温进沉积室、抽真空、通还原性气体并升温的操作，去除在第一多晶硅层上形成的自然氧化层，避免后续形成的多晶硅栅极中出现氧化层或氮化硅层界面，进而改善了多晶硅栅极的电性，提高了器件的可靠性。且本发明在第二多晶硅层形成之前，通入还原性气体，由于可以还原Q‑time时生成的自然氧化层，因此可以延长第一多晶硅层到第二多晶硅层制程之间的Q‑time范围，使生产更易控制，避免产能浪费。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

背景技术

随着消费水平的提高，以及集成电路技术的不断进步，消费电子产业已经逐渐从家用电子市场过渡到移动电子市场。现在手机、手提电脑及数字音乐播放器等等都已经遍布大街小巷，嵌入式闪存(eFlash)存储器通过存储程序代码和用户数据，使这些得以实现。随着工艺水平不断提高，以及eFlash存储容量越来越大，导致eFlash存储器电路面积越来越大。

在开发eFlash存储器产品时，通常需要采用双层多晶硅叠加的生长方式来形成多晶硅栅极，但这种生长方式有在多晶硅栅极中形成界面(interface)的风险，多晶硅栅极中界面的存在会增加多晶硅栅极的电阻值，阻挡后续离子注入时掺杂离子的扩散，影响到存储器的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，避免在多晶硅栅极中形成界面，提高器件性能。

为达到上述目的，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底上形成有第一多晶硅层，所述第一区域的所述第一多晶硅层上形成有介电层；

控制一沉积设备的沉积室的温度为一第一设定温度；

对所述沉积设备的沉积室进行抽真空操作；

向所述沉积设备的沉积室内通入还原性气体；

控制所述沉积设备的沉积室的温度为第二设定温度；以及，

在所述第一多晶硅层和所述介电层上形成第二多晶硅层。

可选的，所述第一设定温度为250℃～400℃。

可选的，所述第二设定温度为800℃～1000℃。

可选的，所述还原性气体包括H₂。

可选的，所述介电层为氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜层。

可选的，所述第一多晶硅层和所述ONO膜层的形成方法包括：

在所述衬底上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成所述ONO膜层；

去除所述第二区域的所述第一多晶硅层上的所述ONO膜层，以形成所述第一区域的所述第一多晶硅层上的所述ONO膜层。

可选的，所述第一多晶硅层的形成温度为第三设定温度。

可选的，所述第三设定温度为600℃～750℃。

可选的，所述衬底与所述第一多晶硅层之间还形成有一栅氧化层。

本发明还提供一种半导体结构，采用上述的半导体结构的形成方法形成。