[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202010260270.1 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111446156A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 冯永波;朱红波;王厚有;刘益东 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底上形成有第一多晶硅层，所述第一区域的所述第一多晶硅层上形成有介电层；
控制一沉积设备的沉积室的温度为第一设定温度；
在所述第一设定温度下，将所述衬底移入所述沉积设备的沉积室；
对所述沉积设备的沉积室进行抽真空操作；
向所述沉积设备的沉积室内通入还原性气体；
控制所述沉积设备的沉积室的温度为第二设定温度；以及，
在所述第一多晶硅层和所述介电层上形成第二多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一设定温度为250℃～400℃。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二设定温度为800℃～1000℃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述还原性气体包括H2。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电层为氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述ONO膜层的形成方法包括：
在所述衬底上形成第一多晶硅层；
在所述第一多晶硅层上形成所述ONO膜层；
去除所述第二区域的所述第一多晶硅层上的所述ONO膜层，以形成所述第一区域的所述第一多晶硅层上的所述ONO膜层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的形成温度为第三设定温度。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三设定温度为600℃～750℃。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底与所述第一多晶硅层之间还形成有一栅氧化层。
10.一种半导体结构，其特征在于，
采用权利要求1-9中任一项所述的半导体结构的形成方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
