[发明专利]一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板

说明书

本发明实施例提供一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板，微米发光二极管器件包括：多个发光单元，发光单元包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层；共电极层，呈网格状，共电极层的网格围绕形成多个第一开口，第一开口暴露出发光单元；多个驱动电极，驱动电极位于第二半导体层远离多量子阱层一侧；至少一个超构层，位于发光单元的发光显示侧；每一超构层包括多个超构单元，第一开口暴露出超构单元，超构单元与发光单元一一对应，超构单元设置有多个凹陷结构或者多个凸起结构，用于改变出光光线的光强分布特性，本发明以实现超高的发光亮度和出射光线的小角度出射，提升了光利用率。

技术领域

本发明涉及显示技术，尤其涉及一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板。

背景技术

微米发光二极管器件(Microled)涉及将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化的技术，其尺寸一般为微米级别。基于微发光二极管的显示技术，是将微发光二极管批量转移至驱动电路基板上，再进行封装，从而形成微米发光二极管器件。

目前微米发光二极管器件在向小型化发展时，存在效率降低的问题。当其尺寸非常小时，其性能会受到与表面和内部缺陷(例如开放式粘合、污染和结构损坏)相关的侧壁效应的影响，这些缺陷导致非辐射载体重组加速，极大的降低了微米发光二极管器件的发光效率，要获得较高的发光亮度，需要通过提升工作电流和工作电压来实现，这对微米发光二极管器件的散热带来极大的挑战。

发明内容

本发明实施例提供一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板，以实现超高的发光亮度和出射光线的小角度出射，提升了光利用率。

第一方面，本发明实施例提供一种微米发光二极管器件，包括：

多个发光单元，所述发光单元包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层；

共电极层，呈网格状，所述共电极层的网格围绕形成多个第一开口，所述第一开口暴露出所述发光单元；所述共电极层与所述第一半导体层电连接；

多个驱动电极，所述驱动电极位于所述第二半导体层远离所述多量子阱层一侧，且所述驱动电极与所述第二半导体层电连接；

至少一个超构层，位于所述发光单元的发光显示侧；每一所述超构层包括多个超构单元，所述第一开口暴露出所述超构单元，所述超构单元与所述发光单元一一对应，所述超构单元设置有多个凹陷结构或者多个凸起结构，用于改变出光光线的光强分布特性，光强分布特性包括光线发散角度、主光线的偏转方向。

可选地，所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧的表面刻蚀形成所述超构层。

可选地，所述第一半导体层包括N型氮化镓层，所述第二半导体层包括P型氮化镓层；多个所述发光单元的所述第一半导体层相互连接为一体；

所述共电极层位于所述第一半导体层临近所述多量子阱层一侧的表面。

可选地，所述第一半导体层临近所述多量子阱层一侧设置有多个第一凹槽，所述共电极层位于所述第一凹槽中。

可选地，还包括至少一个缓冲层，位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧；

至少一个所述缓冲层临近所述多量子阱层一侧的表面刻蚀形成所述超构层。

可选地，还包括至少一个缓冲层，位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧；

与所述第一半导体层接触的所述缓冲层在临近所述多量子阱层一侧设置有多个第二凹槽，所述共电极层位于所述多个第二凹槽中；

在垂直于所述缓冲层的方向上，所述共电极层的厚度小于所述第二凹槽的深度。

可选地，任意两个所述第一半导体层边缘之间的距离大于0。