[发明专利]一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种微米发光二极管器件，其特征在于，包括：

多个发光单元，所述发光单元包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层；

共电极层，呈网格状，所述共电极层的网格围绕形成多个第一开口，所述第一开口暴露出所述发光单元；所述共电极层与所述第一半导体层电连接；

多个驱动电极，所述驱动电极位于所述第二半导体层远离所述多量子阱层一侧，且所述驱动电极与所述第二半导体层电连接；

至少一个超构层，位于所述发光单元的发光显示侧；每一所述超构层包括多个超构单元，所述第一开口暴露出所述超构单元，所述超构单元与所述发光单元一一对应，所述超构单元设置有多个凹陷结构或者多个凸起结构，用于改变出光光线的光强分布特性，光强分布特性包括光线发散角度、主光线的偏转方向；

还包括至少一个缓冲层，位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧；

与所述第一半导体层接触的所述缓冲层在临近所述多量子阱层一侧设置有多个第二凹槽，所述共电极层位于所述多个第二凹槽中；

在垂直于所述缓冲层的方向上，所述共电极层的厚度小于所述第二凹槽的深度。

2.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧的表面刻蚀形成所述超构层。

3.根据权利要求2所述的微米发光二极管器件，其特征在于，所述第一半导体层包括N型氮化镓层，所述第二半导体层包括P型氮化镓层；多个所述发光单元的所述第一半导体层相互连接为一体；

所述共电极层位于所述第一半导体层临近所述多量子阱层一侧的表面。

4.根据权利要求3所述的微米发光二极管器件，其特征在于，所述第一半导体层临近所述多量子阱层一侧设置有多个第一凹槽，所述共电极层位于所述第一凹槽中。

5.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，还包括至少一个缓冲层，位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧；

至少一个所述缓冲层临近所述多量子阱层一侧的表面刻蚀形成所述超构层。

6.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，任意两个所述第一半导体层边缘之间的距离大于0。

7.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，还包括支撑层，位于所述至少一个缓冲层远离所述多量子阱层一侧。

8.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，所述多个凸起结构包括多个圆柱形凸起；

同一个所述超构层中，所有的所述凸起结构具有相同的高度；

同一所述超构层中，不同超构单元中的所述凸起结构具有不同的直径。

9.根据权利要求1所述的微米发光二极管器件，其特征在于，还包括量子点膜，位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层一侧。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的微米发光二极管器件；

以及驱动芯片，所述驱动芯片包括第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述共电极层电连接，所述多个第二电极与多个驱动电极一一对应电连接。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电极包括第一端面和第二端面，所述第一端面位于所述第二端面与发光单元之间，所述第一端面的面积大于所述第二端面的面积。