[发明专利]湿法化学管芯切单系统及相关方法

说明书

本发明题为“湿法化学管芯切单系统及相关方法”。用于从晶圆切单管芯的方法的实施方式可包括：提供半导体晶圆，该半导体晶圆具有第一侧和第二侧。第一侧可包括多个管芯以及在该多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道。该方法可包括在多个管芯上方并且围绕多个管芯通道施加掩模。该方法还可包括在多个管芯通道处湿法蚀刻穿过半导体晶圆以切单多个管芯。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求授予Seddon的名称为“湿法化学管芯切单系统及相关方法(WETCHEMICAL DIE SINGULATION SYSTEMS AND RELATED METHODS)”的美国临时专利申请62/827,976的提交日期的权益，该申请提交于2019年4月2日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文档的各方面整体涉及管芯切单系统和方法。更特定的特定实施方式涉及湿法化学蚀刻的方法。

背景技术

半导体器件包括存在于常用电气和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备)中的集成电路。通过将半导体材料的晶圆(wafer)切单(singulate)成多个半导体管芯(die)来分离器件。在切单时，管芯可安装在封装件上并与封装件电集成，然后可将该封装件用于电气或电子设备中。

发明内容

用于从晶圆切单管芯的方法的实施方式可包括：提供半导体晶圆，该半导体晶圆具有第一侧和第二侧。第一侧可包括多个管芯以及在该多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道。该方法可包括在多个管芯上方并且围绕多个管芯通道施加掩模。该方法还可包括在多个管芯通道处湿法蚀刻穿过半导体晶圆以切单多个管芯。

用于从晶圆切单管芯的方法的实施方式可包括以下各项中的一个、全部或任一个：

该半导体晶圆可具有25微米至50微米的厚度。

湿法蚀刻包括将蚀刻剂施加到晶圆的第一侧和晶圆的第二侧中的一种。

该方法还可包括将半导体晶圆安装到拾取带。

该方法还可包括将晶圆安装到载体。

湿法蚀刻可包括以下步骤中的一个：将半导体晶圆浸入蚀刻剂浴槽中；利用蚀刻剂喷涂半导体晶圆；或将蚀刻剂搅拌到半导体晶圆上。

掩模可以为暂时存在的掩模或牺牲去除的掩模。

该方法还可包括通过控制蚀刻剂的温度来调节湿法蚀刻的速率。

用于从晶圆切单管芯的方法的实施方式可包括：提供半导体晶圆，该半导体晶圆具有第一侧和第二侧。第一侧可包括多个管芯以及在该多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道。晶圆可具有10微米至50微米的厚度。该方法可包括将半导体晶圆耦接到带材，其中带材与膜框架(film frame)耦接。该方法可包括在多个管芯上方并且围绕多个通道施加掩模。该方法可包括仅在多个管芯通道处湿法蚀刻穿过半导体晶圆以切单多个管芯。

用于从晶圆切单管芯的方法的实施方式可包括以下各项中的一个、全部或任一个：

该方法还可包括通过射流烧蚀来切单多个管芯。

湿法蚀刻可包括将蚀刻剂施加到晶圆的第一侧和晶圆的第二侧中的一种。

湿法蚀刻可包括以下步骤中的一个：将半导体晶圆浸入蚀刻剂浴槽中；利用蚀刻剂喷涂半导体晶圆；以及将蚀刻剂搅拌到半导体晶圆上。

掩模可以为暂时存在的掩模或牺牲去除的掩模。

该方法还可包括通过控制蚀刻剂的温度来调节湿法蚀刻的速率。