[发明专利]湿法化学管芯切单系统及相关方法在审
| 申请号： | 202010249245.3 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111799219A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 化学 管芯 系统 相关 方法 | ||
1.一种用于从晶圆切单管芯的方法，所述方法包括：
提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一侧和第二侧，所述第一侧包括多个管芯以及在所述多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道；
在所述多个管芯上方并且围绕所述多个通道施加掩模；
在所述多个管芯通道处仅湿法蚀刻穿过所述半导体晶圆以切单所述多个管芯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶圆具有25微米至50微米的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述晶圆安装到载体。
4.一种用于从晶圆切单管芯的方法，所述方法包括：
提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一侧和第二侧，所述第一侧包括多个管芯以及在所述多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道；
将所述半导体晶圆耦接到带材，其中所述带材与膜框架耦接；
在所述多个管芯上方并且围绕所述多个通道施加掩模；以及
在所述多个管芯通道处仅湿法蚀刻穿过所述半导体晶圆以切单所述多个管芯；
其中所述晶圆具有10微米至50微米之间的厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括通过射流烧蚀来切单所述多个管芯。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模为临时存在的掩模或牺牲去除的掩模中的一种。
7.一种用于从晶圆切单管芯的方法，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一侧和第二侧以及在所述第一侧和所述第二侧之间的厚度，所述第一侧包括多个管芯以及在所述多个管芯中的每个管芯之间的多个管芯通道；
将背金属耦接到所述半导体晶圆的所述第二侧；
在所述多个管芯上方并且围绕所述多个通道施加掩模；以及
在所述多个管芯通道处湿法蚀刻穿过所述厚度；
其中所述晶圆具有10微米至100微米之间的厚度。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括通过射流烧蚀来切单所述多个管芯。
9.根据权利要求7所述的方法，还包括在湿法蚀刻期间去除所述掩模。
10.根据权利要求7所述的方法，还包括湿法蚀刻所述背金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
