[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；以及垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，并具有与堆叠结构和绝缘结构相对的侧表面。堆叠结构包括交替地堆叠的层间绝缘层和栅极层，绝缘结构包括下绝缘层、在下绝缘层上的中间绝缘层和在中间绝缘层上的上绝缘层。

技术领域

本申请的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及三维半导体器件。

背景技术

为了提高电子产品的价格竞争力，对提高半导体器件的集成密度的需求已增加。为了提高半导体器件的集成密度，已提出了其中存储单元被三维地布置的半导体器件来代替包括二维地布置的存储单元的半导体器件。

发明内容

本申请的示例实施方式提供了具有提高的集成密度的半导体器件。

这里提供了一种半导体器件，其包括：堆叠结构；下结构，其中堆叠结构设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；以及垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，其中垂直结构包括与堆叠结构的侧表面相对并且与绝缘结构的侧表面相对的侧表面，其中堆叠结构的至少一部分包括多个层间绝缘层和多个栅极层，其中所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层交替地堆叠，其中绝缘结构包括下绝缘层、中间绝缘层和上绝缘层，其中中间绝缘层设置在下绝缘层上，其中上绝缘层设置在中间绝缘层上，以及其中中间绝缘层表现出蚀刻选择性。

在半导体器件的一些实施方式中，中间绝缘层的材料不同于下绝缘层的材料和上绝缘层的材料，中间绝缘层包括掺杂剂，其中掺杂剂包括元素周期表的第VA族元素，以及其中中间绝缘层相对于上绝缘层表现出蚀刻选择性。

在一些实施方式中还提供一种可选的半导体器件，其包括：堆叠结构；下结构，其中堆叠结构设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，其中垂直结构穿透堆叠结构并穿透绝缘结构；盖绝缘层，其中盖绝缘层设置在绝缘结构上并且在垂直结构上；以及分隔结构，其中分隔结构在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，以及其中分隔结构穿透堆叠结构、穿透绝缘结构并穿透盖绝缘层，绝缘结构包括下绝缘层、中间绝缘层和上绝缘层，中间绝缘层设置在下绝缘层上，上绝缘层设置在中间绝缘层上，中间绝缘层表现出蚀刻选择性。

在该可选的半导体器件的一些实施方式中，堆叠结构的至少一部分包括多个栅极层和多个层间绝缘层，其中所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层交替地堆叠，中间绝缘层的材料不同于下绝缘层的材料、上绝缘层的材料和层间绝缘层的材料，中间绝缘层包括掺杂剂，其中掺杂剂包括元素周期表的第VA族元素，以及其中中间绝缘层相对于上绝缘层表现出蚀刻选择性。

在一些实施方式中还提供了又一种半导体器件，其包括：堆叠结构；下结构，其中堆叠结构设置在下结构上；绝缘结构，设置在堆叠结构上；垂直结构，在垂直于下结构的上表面的方向上延伸，其中垂直结构穿透堆叠结构并穿透绝缘结构；盖绝缘层，其中盖绝缘层设置在绝缘结构上并且在垂直结构上；以及接触插塞，其中接触插塞穿透盖绝缘层并穿透绝缘结构，绝缘结构包括下绝缘层、中间绝缘层和上绝缘层，中间绝缘层设置在下绝缘层上，其中上绝缘层设置在中间绝缘层上，中间绝缘层表现出蚀刻选择性。

附图说明

本申请的以上及另外的方面、特征和优点将由以下详细描述结合附图被更清楚地理解，附图中：

图1是示出根据本申请的一示例实施方式的半导体器件的框图；

图2是示出根据本申请的一示例实施方式的半导体器件的一示例的剖视图；

图3是示出根据本申请的一示例实施方式的半导体器件的一修改示例的剖视图；

图4是示出根据本申请的一示例实施方式的半导体器件的一示例的剖视图；

图5是示出根据本申请的一示例实施方式的半导体器件的一修改示例的剖视图；