[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠结构；

下结构，其中所述堆叠结构设置在所述下结构上；

绝缘结构，设置在所述堆叠结构上；以及

垂直结构，在垂直于所述下结构的上表面的方向上延伸，其中所述垂直结构包括与所述堆叠结构的侧表面相对并且与所述绝缘结构的侧表面相对的侧表面，

其中所述堆叠结构的至少一部分包括多个层间绝缘层和多个栅极层，其中所述多个层间绝缘层和所述多个栅极层交替地堆叠，

其中所述绝缘结构包括下绝缘层、中间绝缘层和上绝缘层，

其中所述中间绝缘层设置在所述下绝缘层上，

其中所述上绝缘层设置在所述中间绝缘层上，以及其中所述中间绝缘层表现出蚀刻选择性。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间绝缘层的材料不同于所述下绝缘层的材料和所述上绝缘层的材料，以及

其中所述中间绝缘层包括掺杂剂，

其中所述掺杂剂包括元素周期表的第VA族元素，以及

其中所述中间绝缘层相对于所述上绝缘层表现出所述蚀刻选择性。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间绝缘层的厚度大于所述多个层间绝缘层中的每个的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中间绝缘层的厚度大于所述多个栅极层中的每个的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述堆叠结构设置在存储单元阵列区域中并且至少部分地延伸到与所述存储单元阵列区域相邻的连接区域中，

其中所述多个栅极层包括多个焊盘区域，其中所述多个焊盘区域以阶梯形式布置在所述连接区域中，

其中所述下绝缘层包括第一下绝缘层和第二下绝缘层，其中所述第二下绝缘层与所述第一下绝缘层相邻设置，

其中所述多个栅极层包括最上面的栅极层，

其中所述第一下绝缘层与所述最上面的栅极层重叠，以及

其中所述第二下绝缘层与所述焊盘区域重叠。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一下绝缘层的厚度大于所述多个层间绝缘层中的每个的厚度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一下绝缘层的厚度大于所述多个栅极层中的每个的厚度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一下绝缘层和所述第二下绝缘层设置在所述中间绝缘层之下。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述中间绝缘层设置在所述第一下绝缘层和所述上绝缘层之间，以及

其中所述上绝缘层与所述第二下绝缘层接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述垂直结构包括芯图案和半导体图案，

其中所述半导体图案包括围绕所述芯图案的侧表面的衬层部分和设置在所述芯图案上的焊盘部分，以及

其中所述焊盘部分的侧表面与所述绝缘结构的所述侧表面相对。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述焊盘部分的至少一部分位于与所述中间绝缘层的至少一部分相同的水平上。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述中间绝缘层位于比所述焊盘部分低的水平上。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，

其中所述半导体图案包括沟道区域和掺杂区域，其中所述掺杂区域设置在所述沟道区域上，以及

其中所述掺杂区域由所述焊盘部分和所述衬层部分的上部分构成。