[发明专利]使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置在审
| 申请号: | 202010248647.1 | 申请日: | 2016-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN111430273A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 佐藤秀明;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 磷酸 水溶液 蚀刻 处理 控制 装置 | ||
本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置。该蚀刻处理控制装置具有:处理槽,其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理;处理液供给部,其向所述处理槽供给磷酸水溶液;处理液循环部,其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环;处理液排出部,其使所述蚀刻液排出;以及控制部,其对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制,其中,所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环,使蚀刻液从所述处理液排出部排出,并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液,所述控制部还使用蚀刻液中的硅浓度信息进行控制,以使浸渍了基板的蚀刻液的硅浓度成为规定浓度范围。
本申请是申请日为2016年1月29日、申请号为201610065467.3、发明名称为“基板液体处理装置和基板液体处理方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置。
背景技术
在半导体部件、平板显示器等的制造过程中使用了基板液体处理装置,该基板液体处理装置利用蚀刻液(处理液)对半导体晶圆、液晶基板等基板进行蚀刻处理。
以往的基板液体处理装置具有:处理液贮存部,其贮存用于对基板进行处理的处理液;处理液供给部,其向处理液贮存部供给处理液;以及处理液循环部,其使处理液贮存部中贮存的处理液循环并进行处理液的加热等。
而且,基板液体处理装置使多个基板浸渍在处理液贮存部中贮存的处理液中并利用处理液来对基板进行液体处理。另外,基板液体处理装置通过处理液循环部使从处理液供给部供给的处理液循环并将处理液加热到规定的温度。
在该基板液体处理装置中,当利用处理液对基板反复进行处理时,由于基板的处理而导致处理液中含有的杂质等的浓度增加,从而无法对基板良好地进行处理。例如,在使用磷酸水溶液(蚀刻液)来对基板进行蚀刻处理的情况下,由于处理液的能力(蚀刻速率)取决于处理液中的硅浓度,因此需要将处理液中的硅浓度保持在固定范围内,但是通过反复进行基板的处理而蚀刻液中的硅浓度增加,处理液的能力下降而无法对基板良好地进行蚀刻处理(例如参照专利文献1)。
因此,在以往的基板液体处理装置中,在处理液贮存部、处理液循环部中设置有用于测量处理液中的硅浓度的浓度传感器。
专利文献1:日本特开2001-23952号公报
发明内容
另外,在上述以往的基板液体处理装置中,将浓度传感器设置于处理液贮存部、处理液循环部,因此总是处于处理液接触到浓度传感器的状态。
因此,在以往的基板液体处理装置中,存在浓度传感器被处理液腐蚀、或者由于处理液中含有的杂质附着于浓度传感器而导致浓度传感器发生故障或进行误动作的可能性。
另外,在以往的基板液体处理装置中,从浓度传感器析出的灰尘等混入处理液中,由于利用该处理液对基板进行处理而使微粒附着于基板,可能导致无法良好地对基板进行液体处理。
因此,在本发明中,在基板液体处理装置中具有:处理液贮存部,其贮存用于对基板进行处理的处理液;处理液供给部,其向所述处理液贮存部供给所述处理液;处理液循环部,其使所述处理液贮存部的内部的所述处理液循环;处理液排出部,其从所述处理液循环部分支出来并使所述处理液排出;浓度传感器,其设置于所述处理液排出部,测量所述处理液中的基板处理产物的浓度;以及控制部,其控制所述处理液供给部,其中,所述控制部通过所述处理液循环部使所述处理液循环,使循环的所述处理液在规定的定时间歇性地或者在规定时间内连续地从所述处理液排出部排出,并且从所述处理液供给部供给新的所述处理液,针对所排出的所述处理液,通过所述浓度传感器在规定的定时测量所述处理液中的基板处理产物的浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





