[发明专利]使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置在审
| 申请号： | 202010248647.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN111430273A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀明;佐藤尊三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 磷酸 水溶液 蚀刻 处理 控制 装置 | ||
1.一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置，其特征在于，具有：
处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；
处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；
处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；
处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；以及
控制部，其对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，
其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液，
所述控制部还使用蚀刻液中的硅浓度信息进行控制，以使浸渍了基板的蚀刻液的硅浓度成为规定浓度范围。
2.根据权利要求1所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，使用预先计算出的蚀刻液的排出量与磷酸水溶液的供给量以及蚀刻液中的硅浓度之间的关系来控制磷酸水溶液的供给和蚀刻液的排出。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，在蚀刻液中的硅浓度小于预定值的情况下继续基板处理。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，在蚀刻液中的硅浓度为预定值以上的情况下不实施基板处理。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，所述蚀刻处理控制装置具有浓度传感器，其与控制部连接，并测量蚀刻液中的硅浓度。
6.根据权利要求5所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，所述浓度传感器存在于处理液排出部中。
7.根据权利要求5所述的蚀刻处理控制装置，其特征在于，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，在规定的定时利用所述浓度传感器来测量硅浓度，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010248647.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种房建工程的建筑围护
- 下一篇：一种机械臂运动控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
